制造梯度线圈的方法、梯度线圈单元、梯度线圈和磁共振成像装置制造方法及图纸

技术编号:2637300 阅读:193 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
为得到良好的线性而不降低磁场产生效率,假设半圆螺旋线的绕线模式;电流分布以连续函数J#-[x](x)表达,使得X轴电流分布轮廓不位于正负两极;连续函数J#-[x](x)的参数被优化来使得可获得要求的线性;并且半圆螺旋线的直线部分1Xt1L的位置被确定来使得实现由优化的连续函数J#-[x](x)给出的电流分布轮廓。结果得到的模式被对称地复制来产生梯度线圈单元1Xt,并且大量的梯度线圈单元1Xt被组合来形成梯度线圈。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造梯度线圈的方法、梯度线圈单元、梯度线圈和MRI(磁共振成像)装置,并且尤其涉及可提供不降低磁场产生效率的良好的线性的制造梯度线圈的方法、梯度单元、梯度线圈和MRI(磁共振成像)装置。在公开号为No.6-14900的日本公开专利中公开的“制造梯度线圈的方法、梯度线圈单元和梯度线圈”中,梯度线圈的绕线模式基本上如下来确定(1)假设绕线模式具有大量弓形螺旋线,如附图说明图1所示,并且它在r方向上的电流分布以下面的等式(2)表示,在φ方向的电流分布以等式(3)表示 其中r是径向位置、φ是角度方向的位置,R0是最大半径,Sn,n,Cm和m是为优化而控制的参数。(2)对于Sn,n,Cm和m的优化值在φ=0处获得。特别是,对于Sn,n,Cm和m的适当的值被假设来计算要求的区域中的磁场的线性误差,并且控制Sn,n,Cm和m来使得线性误差落入允许值的范围内,以得到优化值。(3)在φ=0线上的电流分布轮廓从等式(3)用结果得到的Sn,n,Cm和m替代而得到。作为线Jφ=0和由线Jφ=0得到的电流分布轮廓的正的部分包围的小区域的区域之和的Ap被位置数目N分割,在这些位置处梯度线圈的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造梯度线圈的方法,包括步骤: (1)假设一个半圆螺旋线的绕线模式,并且以下面的电流分布等式来表达它的X轴电流分布: *** 这里X轴是把半圆螺旋线分为两个相等部分的轴,R↓[0]是最大半径,A↓[n],n,B↓[m]和m是为优化而控制的参数; (2)假设A↓[n],n,B↓[m]和m的适当值,从而用A↓[n],n,B↓[m]和m值代入的电流分布等式表达的X轴电流分布轮廓不位于正负两极,在多个磁场测量点计算磁场的线性误差,并且控制A↓[n],n,B↓[m]和m使得线性误差落入允许值的范围内,以得到对A↓[n],n,B↓[m]和m的优化值; (3)把电流分布轮廓...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:后藤隆男井上勇二
申请(专利权)人:通用电器横河医疗系统株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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