磁检测器及其制造方法,以及使用它的磁头技术

本发明专利技术披露了一种磁检测器，它包括：（１）一支撑基片，（２）一铁磁隧道结元件，其具有在该支撑基片上的第一磁层，在所述第一磁层上的隧道绝缘层。所述隧道绝缘层包括氧化铝，所述氧化铝是由氧化在第一磁层上形成的铝膜获得的，所述铝膜是使用９９．９９９％或更高纯度的铝靶通过溅射形成的，以及在隧道绝缘层上的第二磁层，以及（３）一用于把磁场的改变转换为电阻的改变的转换元件。此外，作为（２）的铁磁隧道结元件。使用其隧道结具有沿所施加电压的方向为不对称的电压－电阻特性的元件。所述不对称的电压－电阻特性可以通过对绝缘层材料的薄膜进行热处理，改变用于形成氧化物的绝缘层的环境中氧气的局部压力，使用两个或多个用于形成薄膜的靶的材料并移动基片等方法来获得。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
,铁磁隧道结器件及其制造方法,以及使用它的磁头的制作方法
本专利技术涉及，特别涉及具有铁磁隧道结的用作高密度磁记录的读头的磁检测器或用于检测磁场的。作为在这种隧道结中的绝缘层，通常使用氧化金属膜。例如，通过使铝的表面层自然氧化、等离子体氧化或者热氧化而形成的氧化铝膜被用作绝缘层。通过控制氧化条件，所述氧化铝膜的厚度可以具有几百微微米到几千微微米的数量级，这是隧道效应所需要的。被形成为在隧道结的两侧具有铁磁材料的金属层的铁磁金属/绝缘体/铁磁金属结构的结被称为铁磁隧道结。在这种情况下，已知隧道电流的大小取决于两个铁磁金属层的磁化条件。当两层的磁化方向被取为相同的方向时，则通过最大的隧道电流，当两层的磁化方向被取为相反的方向时，则通过小的隧道电流。这被解释为，在铁磁材料中，导电的电子被极化，并且这个现象是由在保持极化时电子的隧道效应引起的。沿着一个方向的电子极化只能通过隧道效应达到一个这样的状态，其中电子沿着所述的方向被极化；而沿着相反方向进行的电子极化只能通过隧道效应达到这样的状态，其中电子沿着相反的方向被极化。当加有绝缘层的两个金属层的铁磁物质具有相同的极化方向时，可以在相同的状本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁检测器，它包括： （１）一支撑基片， （２）一铁磁隧道结元件，其具有在该支撑基片上的第一磁层，在所述第一磁层上的隧道绝缘层，所述隧道绝缘层包括氧化铝，所述氧化铝是由氧化在第一磁层上形成的铝膜获得的，所述铝膜是使用９９．９９９％或更高纯度的铝靶通过溅射形成的，以及在隧道绝缘层上的第二磁层，以及 （３）一用于把磁场的改变转换为电阻的改变的转换元件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤雅重，菊地英幸，小林和雄，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]