一种钛酸锶单晶微球的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钛酸锶单晶微球的制备方法，包括如下步骤：1)取高纯钛酸锶粉体为制备微球的原料；2)将步骤1)中的钛酸锶粉体通过给料系统的振动机构送入原料仓中，并在氧气作用下经过燃烧器的喷嘴进入微球生长炉的生长室中，原料粉体在氢氧火焰中飘浮，经过加热熔化、结晶长大过程，最终在重力作用下自由落在微球接收盘内，即得钛酸锶单晶微球；3)将步骤2)中获得的钛酸锶单晶微球放入氧化气氛的高温炉中退火，即得透明的钛酸锶单晶微球。本发明专利技术采用的焰熔法制备方法，单晶微球在生长过程中不与坩埚容器接触，避免其它杂质的污染，制备得到的单晶微球品质非常高，也可以采用这种制备方法用来制备其它高温氧化物单晶微球。

【技术实现步骤摘要】
一种钛酸锶单晶微球的制备方法
本专利技术属于钛酸锶材料
，具体涉及一种钛酸锶单晶微球的制备方法。
技术介绍
钛酸锶陶瓷介电常数高，介电损耗低，色散频率高，对温度、机械应变、直流偏场具有优良的稳定性，而且还具有优异的半导体性能，是半导体晶界层电容器重要的介电材料，可用来制造中高压大容量陶瓷电容器、晶界层电容器、压敏电阻、PTC热敏电阻和多功能传感器。钙钛矿型的钛酸锶表现出巨大的非线性光学系数、所耗成本少、反应效率高、持久的光稳定性和化学稳定性等优点，是一种具有极大应用价值的N型半导体光催化剂。因此，钛酸锶不仅应用在传统领域中，而且在光催化领域受到越来越多的关注。对于钛酸锶单晶体而言，具有高折射率和色散、高硬度、高化学稳定性、良好的超导性、半导性、气敏性、热敏性及光敏性等性能，尤其是作为高温超导薄膜基片材料，只有钛酸锶单晶体的点阵常数与123型超导体(YBa2Cu3O7)匹配得最好，[100]方向的错配度只有0.2％，[110]方向的错配度只有1.3％，已成为外延生长超导薄膜的标准基片材料。钛酸锶单晶微球作为一种新型的单晶材料，具有优良的物理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钛酸锶单晶微球的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n1)取高纯钛酸锶粉体为制备微球的原料；/n2)将步骤1)中的钛酸锶粉体通过给料系统的振动机构送入原料仓中，并在氧气作用下经过燃烧器的喷嘴进入微球生长炉的生长室中，原料粉体在氢氧火焰中飘浮，经过加热熔化、结晶长大过程，最终在重力作用下自由落在微球接收盘内，即得钛酸锶单晶微球；/n3)将步骤2)中获得的钛酸锶单晶微球放入氧化气氛的高温炉中退火，即得透明的钛酸锶单晶微球。/n

【技术特征摘要】
1.一种钛酸锶单晶微球的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)取高纯钛酸锶粉体为制备微球的原料；
2)将步骤1)中的钛酸锶粉体通过给料系统的振动机构送入原料仓中，并在氧气作用下经过燃烧器的喷嘴进入微球生长炉的生长室中，原料粉体在氢氧火焰中飘浮，经过加热熔化、结晶长大过程，最终在重力作用下自由落在微球接收盘内，即得钛酸锶单晶微球；
3)将步骤2)中获得的钛酸锶单晶微球放入氧化气氛的高温炉中退火，即得透明的钛酸锶单晶微球。


2.根据权利要求1一种钛酸锶单晶微球的制备方法，其特征在于：步骤1)中，钛酸锶粉体的纯度为99.99％以上，粉体粒度为100～400目。


3.根据权利要求1一种钛酸锶单晶微球的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所述燃烧器的喷嘴包括用于使原料及氧气通过的中心孔和用于使氢气通过的外部孔，所述中心孔为喇叭形，其扩张角为15～30°，所述外部孔为向外倾斜孔，其倾斜角为10～35°。


4.根据权利要求1一种钛酸锶单晶微球的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所述氢氧火焰是由流量为20～32L/min氢气和流量为8～12L/min氧气燃烧所得。


5.根据权利要求1一种钛酸锶单晶微球的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所述飘浮是由于喷嘴的外部孔呈向外倾斜特征，在生长室内...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭东，王磊，毕孝国，孙旭东，惠宇，王兴安，那兆霖，
申请(专利权)人：大连大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21