一种用于制造二硫化钼量子点阵列的设备与工艺方法技术

技术编号:26361917 阅读:47 留言:0更新日期:2020-11-19 23:30
本发明专利技术实施例公开了一种用于制造二硫化钼量子点阵列的设备与工艺方法,涉及新能源技术领域,便于推进MoS

【技术实现步骤摘要】
一种用于制造二硫化钼量子点阵列的设备与工艺方法
本专利技术涉及新能源
,尤其涉及一种通过等离子体和激光协同作用的制造二硫化钼量子点阵列的设备与工艺方法。
技术介绍
作为一种新型纳米材料,MoS2量子点受到光的刺激后,不同尺寸的MoS2量子点可以激发出不同颜色的光线,这种简单、精确的尺寸和发光颜色调控关系,使MoS2量子点在新型量子点显示
有重要应用价值,另外,由于尺寸效应,MoS2量子点的析氢过电位得到进一步下降,电流密度得到增强,催化析氢性能得到明显提高,这对氢气新能源的利用,改善能源结构具有重要意义。当单层二硫化钼(MoS2)纳米片的面积减小到纳尺度(1-10nm)时,形成零维的MoS2量子点,由于量子限域效应,MoS2量子点展现出新奇的光、电等性能,在显示、生医检测、催化和传感等领域具有重要的应用价值。但是MoS2量子点的制造、合成并不容易。目前国内、外的MoS2量子点制造技术,主要包括超声液相剥离、Li离子插层剥离、水热合成、化学气相沉积、激光溅射刻蚀等,均存在于实验室研发阶段,技术还不完善,存在制造过程繁杂、可控性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造二硫化钼量子点阵列的设备,其特征在于,所述设备的组成部分包括:加工腔体系统、源路系统、等离子体系统、激光系统、尾气处理系统和真空系统(19),所述激光系统安装在所述加工腔体系统上方,所述等离子体系统布置在所述加工腔体系统的外表面,所述源路系统的管路连接所述加工腔体系统,所述真空系统(19)的一端连接所述加工腔体系统,所述真空系统(19)的另一端连接所述尾气处理系统;/n所述加工腔体系统的组成部分包括:反应腔体(3)、真空计PT

【技术特征摘要】
1.一种用于制造二硫化钼量子点阵列的设备,其特征在于,所述设备的组成部分包括:加工腔体系统、源路系统、等离子体系统、激光系统、尾气处理系统和真空系统(19),所述激光系统安装在所述加工腔体系统上方,所述等离子体系统布置在所述加工腔体系统的外表面,所述源路系统的管路连接所述加工腔体系统,所述真空系统(19)的一端连接所述加工腔体系统,所述真空系统(19)的另一端连接所述尾气处理系统;
所述加工腔体系统的组成部分包括:反应腔体(3)、真空计PT5(22)、样品支架(20)和玻璃窗口(2),所述真空计PT5(22)连接反应腔体(3),用于实时测量反应腔体(3)内的压强,所述样品支架(20)安装在所述加工腔体系统内部,用于放置基底样品(21);
所述源路系统,用于通过管路向反应腔体(3)输入离子体气源、Mo源前驱体和S源前驱体;
所述等离子体系统,由射频电源和射频线圈(4)组成,射频线圈(4)缠绕在反应腔体(3)外表面,并用于在反应腔体(3)内产生射频放电;
所述激光系统,由激光器和激光加工头(1)组成,用于对反应腔体(3)内的基底样品(21)的表面扫描加热;
所述真空系统(19),用于控制所述加工腔体系统和所述源路系统的真空度;
所述尾气处理系统,用于处理所述加工腔体系统产生的残余尾气。


2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述源路系统中包括四条管路,其中,管路Ⅰ用于向反应腔体(3)提供含-OH有机物,作为-OH等离子体气体源;管路Ⅱ用于向反应腔体(3)提供含-SH有机物,作为-SH等离子体气体源;管路Ⅲ和管路Ⅳ分别用于向反应腔体(3)提供Mo源前驱体和S源前驱。


3.根据权利要求2所述的设备,其特征在于,所述管路Ⅰ上依次安装有真空计PT1(6)、V1气动阀(7)和气体质量流量控制器MFC1(8),气体质量流量控制器MFC1(8)用于控制所述管路Ⅰ中的含-OH有机物气体流量,V1气动阀(7)用于控制所述管路Ⅰ的通断,真空计PT1(6)用于实时测量所述管路Ⅰ内的压强;
所述管路Ⅱ上依次安装有真空计PT2(5)、V2气动阀(10)和气体质量流量控制器MFC2(9),气体质量流量控制器MFC2(9)用于控制所述管路II中的含-SH有机物气体流量,V2气动阀(10)用于控制所述管路II的通断,真空计PT2(5)用于实时测量管路II内的压强。


4.根据权利要求2所述的设备,其特征在于,所述管路Ⅲ包括两条分支,其中一条分支上依次安装有真空计PT3(12)和气体质量流量控制器MFC3(11),另一条分支上依次安装有V3气动阀(18)和可加热Mo源前驱体瓶(13);可加热Mo源前驱体瓶(13)用于存储Mo源,气体质量流量控制器MFC3(11)用于控制所述管路III中的Mo源载气流量,V3气动阀(18)用于控制Mo源的通断,真空计PT3(12)用于实时测量所述管路III内的压强。
所述管路Ⅳ包括两条分支,其中一条分支上依次安装有真空计PT4(17)和气体质量流量控制器MFC4(14),另一条分支上依次安装有V4气动阀(16)和可加热S源前驱体瓶(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄亚洲黄家才徐坤山史建军贾茜卞荣
申请(专利权)人:南京工程学院
类型:发明
国别省市:江苏;32

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