用于高压电的电光电压传感器制造技术

技术编号:2635546 阅读:586 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
电光电压传感器,用于测量施加在两个电极(3、4)之间的电压V,包含至少两个沿光路(5)安排的由电光活性材料制造的层(1a、2a)。所述的层由一个光束透射,所述的光束由于电光效应在其相位和/或偏振状态方面受到影响。所述的电光活性层(1a、2a)相对于光束和电场E的取向这样地选择:使得光束(5)在第二层(2a)中受到的影响对抗光束(5)在第一层(1a)中受到的影响。以此方式可以实现有高的半波电压的传感器,从而可以明确地测量高压V。有利地在电极(3、4)之间安排多个第一和第二电光活性层。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电光电压传感器领域。它涉及权利要求1的前序部分所述的电光电压传感器,以及权利要求14的前序部分所述的电光电压测量方法。
技术介绍
这样的电压传感器例如公知于J.C.Santos,K.Hikada所著的”New Multi-Segment Pockels Device for High-Voltage Measerment”,Proc.ICEE`96(International Conference on Electrical Engineering),P.1366-1370。由J.C.Santos,K.Hikada说明的传感器含有多个晶体BGO(Bi4Ge3O12)的片,所述的晶体片相互间隔地安排在两个电极之间,要测量的电压施加在所述的两个电极上。圆柱形的介电垫片起间隔BOG片的作用,所述的BOG片以均匀的间距按排先后布置在电极之间。BOG片之间的中间空间和传感器周围用SF6填充。BOG片用光束照射,所述光束的基于Pockels效应(线性电光效应)与电压V相关地改变。尤其是两个相互正交的光波耦连进BOG晶体中,BOG晶体由于电光活性相互经受与电压信号关联的相移。检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
电光电压传感器,用于测量电压V,其中在两个间隔开安排的电极(3、4)之间施加电压V并且产生电场E,其中在电极(3、4)之间沿光路(5)先后地安排至少一个第一电光活性层(1a、1b、1c、1d)和至少一个第二电光活性层(2a、2b、2c、2d),其中,每个这样的层(1a、1b、1c、1d、2a、2b、2c、2d)具有两个双重折射轴a↓[i,1],a↓[i,2],其相应的轴各指定一个相应的折射率n↓[i,1],n↓[i,2],并且其中每个这样的层(1a、1b、1c、1d、2a、2b、2c、2d)中都各至少有一个折射率n↓[i,1],可以通过电场E改变,由此在每个这样的层(1a、1b、1c、1d、2...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:K博纳特A弗兰克H布兰德勒
申请(专利权)人:ABB研究有限公司
类型:发明
国别省市:CH[瑞士]

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