温度补偿的电光电压传感器制造技术

电光电压传感器在施加待测量的电压Ｖ的两电极（３，４）间具有电光活性介质（１）和间隔介质（２）。介质（１，２）和介质的厚度ｄ↓［１］、ｄ↓［２］这样来选择，被测量的电压信号不具有温度依赖性。譬如这样选择厚度ｄ↓［１］、ｄ↓［２］，介质（１，２）的决定性电光系数和介电常数的温度依赖性对电压信号的影响相互抵消。有利地，这两个介质（１，２）以一种由两介质的圆柱体形的元素的交替放置组成的杆的形式放置在电极（３，４）间。有利地ＢＧ０和石英玻璃能用作介质（１，２）。优选地是传感器注入到硅树脂里。可实现为一个机械稳定的温度稳定的具有小反射损失的，大的半波电压和对电场干扰小敏感性的电压传感器。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电光电压传感器
，尤其是高压测量。本专利技术涉及一个遵照权利要求1前序部分的电光电压传感器和一种遵照权利要求1前序部分的用于测量电光电压的方法。
技术介绍
一个这样的电压传感器和一种相应的方法已在例如EP0682261A2中公开。在电光晶体的两端施加一个待测量的电压V。在晶体里射入线性偏振光并在其中以两个相互垂直的偏振光波的形式传播。该光在贯穿晶体后被探测。通过Pockels效应可在晶体里感应出与电压有关的双折射，因此可证明与待测量的电压V成比例的射出晶体的光的偏振变化，譬如，以光的亮度调制的形式。这种对Pockels效应决定性的电光系数大多具有温度依赖性。譬如，对BGO晶体(Bi4Ge3O12)这种温度依赖性总计为1.54×10-4/℃(P.A.Williams等，应用光学35，3562-3569，1996)。在已公开的EP0682261A2中对温度效应通过计算修改由所测量的偏振变化确定的电压，其中为了确定电光晶体的温度充分利用已知的在光路里的并放置在电光晶体附近的λ/4小平板的温度依赖性。这样的电压传感器有这个缺点对计算的温度补偿必须做出不同的近似假设，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
电光电压传感器，用于测量电压Ｖ，其中电压Ｖ施加在两电极（３，４）间并产生一个电场，其中电极（３，４）相互隔开放置，而且其中在电极（３，４）间放置电光活性介质（１），在该介质中光（５）是可穿透的，电光活性介质（１）中的光（５）的偏振态可受电场影响并在射出电光活性介质（１）后是可探测的，其中由探测到的偏振态可确定电压Ｖ，其特征在于，在两个电极（３，４）间放置间隔介质（２），其中具有有效厚度ｄ↓［１］的电光活性介质（１）和具有有效厚度ｄ↓［２］的间隔介质（２）放置在 两电极（３，４）间，并且其中有效厚度ｄ↓［１］、ｄ↓［２］这样选择，使得实质上补偿温度对探测到的光（５）...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：K博纳特，A弗兰克，H布兰德勒，
申请(专利权)人：ABB研究有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]