【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及利用光电导采样探头得到电压的测量值。
技术介绍
现有技术采样探头具有接触端和制造成底板上的电极结构的高阻抗光电导门。为了对被测量设备(DUT)上导体上的电压进行采样,将接触端与导体接触,并发出光探测激光束脉冲到门附近。参见J.KIM等人的文章《Photoconductive sampling probe with 2.3-ps temporal resolution and 4μVsensitivity》,APPL.PHYS.LETT.62(18),1993年3月3日,2268-2270页。Williamson的美国专利5,317,256(1996年5月31日)中描述了一个采用这种探头的系统。同样参见Ozaki等人的美国专利5,331,275(1994年7月19)和Nees等人的美国专利5,442,300(1995年8月15)。在理想光电导(PC)开关中,暗电阻(激光脉冲关闭时)为无穷大,因此,只有在激光脉冲开启时,采样电路的其他部分才与DUT电气连接。对于这种理想PC开关,一种操作方法是将PC开关的输出侧保持在固定电压(比如0V),并测量在整个 ...
【技术保护点】
一种探测电压的方法,包括:a.在被探测的导体(805)和光电导开关(600)的第一接线端之间建立电气连接,b.在采样间隔n内,施加激光脉冲(705)到光电导开关(600),而相应于在前一采样间隔n-1的电压样本,施加电压到该 光电导开关的第二接线端,c.将流经光电导开关(600)的电流转换(610)为电压信号,d.在选通间隔T↓[elec]内传递电压信号(715),以及e.对所传递的电压(725)信号进行采样,以便得到采样间隔n内的电压样 本。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:KR威尔希,F霍,
申请(专利权)人:恩普泰斯特有限责任公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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