表面处理铜箔及铜箔基板制造技术

一种表面处理铜箔(100)，包括处理面(100A)，其中处理面(100A)的空隙体积(Vv)为0.1至1.0μm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面处理铜箔及铜箔基板
本专利技术涉及铜箔的
，尤其涉及一种表面处理铜箔及其铜箔基板。
技术介绍
随着电子产品逐渐朝向轻薄以及传递高频信号的趋势发展，对于铜箔和铜箔基板的需求也日益提升。一般而言，铜箔基板的铜导电线路会被绝缘载板承载，且通过导电线路的布局设计，其可将电信号沿着预定的路径传递至预定区域。此外，对于用于传递高频电信号(例如高于10GHz)的铜箔基板而言，其铜箔基板的导电线路也必须进一步优化，以降低因集肤效应(skineffect)而产生的信号传递损失(signaltransmissionloss)。所谓的集肤效应，是指随着电信号的频率增加，电流的传递路径会更加集中于导线的表面，例如紧邻于载板的导线表面。为了降低集肤效应而产生的信号传递损失，现有做法是尽可能将铜箔基板中紧邻于载板的导线表面予以平坦化。然而，即便上述做法确实可有效降低铜箔基板所产生的信号传递损失，其仍存有待克服的技术缺陷。举例而言，由于导线表面会较平坦，因此导线和载板间的附着性通常会较低。在这样的情况下，即便采用了较低粗糙度的铜箔以制作导线，铜箔基板中的导线仍很容易从载板的表面剥离，致使电信号无法沿着预定路径传递至预定区域。因此，仍有必要提供一种表面处理铜箔及铜箔基板，以解决现有技术中所存在的缺陷。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供有一种改良的表面处理铜箔及铜箔基板，解决了现有技术中所存在的缺陷。根据本专利技术的一实施例，提供一种表面处理铜箔，表面处理铜箔包括处理面，其中处理面的空隙体积(voidvolume，Vv)为0.1至1.0μm3/μm2(μm3/μm2是指单位面积为1μm2的表面所具有的体积)，且处理面的最大高度(maximumheight，Sz)为1.0至7.0μm。优选地，根据本专利技术的另一实施例，提供一种表面处理铜箔，表面处理铜箔包括电解铜箔以及设置于电解铜箔表面的表面处理层。其中，表面处理层的外侧为表面处理铜箔的处理面，且表面处理层包括粗化层。处理面的空隙体积(Vv)为0.1至1.0μm3/μm2，且处理面的最大高度(Sz)为1.0至7.0μm。根据本专利技术的又一实施例，提供一种铜箔基板。铜箔基板包括载板以及表面处理铜箔，表面处理铜箔包括主体铜箔以及设置在主体铜箔和载板之间的表面处理层，其中表面处理层包括面向载板的处理面。处理面的空隙体积(Vv)为0.1至1.0μm3/μm2，且处理面的最大高度(Sz)为1.0至7.0μm。根据上述实施例，通过将表面处理铜箔的处理面的空隙体积(Vv)控制为0.1至1.0μm3/μm2，且处理面的最大高度(Sz)控制为1.0至7.0μm，当后续将表面处理铜箔压合至载板时，处理面和载板间的附着性会更佳，且也能保持较低的信号传递损失程度。通过提升表面处理铜箔处理面和载板间的附着性，后续经由蚀刻步骤而形成的导电线路便不易从载板的表面剥离，进而提升了铜箔基板的良率及耐用性。附图说明图1是根据本专利技术一实施例所绘示的表面处理铜箔的剖面示意图。图2是本专利技术一实施例的表面处理铜箔的表面高度和负载率间的关系图。图3是根据本专利技术一实施例所绘示的带状线(stripline)的示意图。其中，附图标记说明如下：100…表面处理铜箔100A…处理面110…主体铜箔110A…第一面110B…第二面112…表面处理层114…粗化层116…钝化层118…防锈层120…耦合层202…空隙体积202A…波谷部空隙体积202B…核心部空隙体积300…带状线302…导线304…树脂载板306-1…接地电极306-2…接地电极h…厚度t…厚度w…宽度具体实施方式在下文中，是加以陈述表面处理铜箔、铜箔基板及印刷电路板的具体实施方式，为使本
中的普通技术人员可据以实现本专利技术。这些具体实施方式可参考相对应的附图，使这些附图构成实施方式的一部分。虽然本专利技术的实施例公开如下，然而其并非用以限定本专利技术，任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范畴内，都可作些许的更动与润饰。其中，各实施例以及实验例所使用的方法，如无特别说明，则为常规方法。针对本专利技术中所提及的空间相关的叙述词汇，「在…上」及「在…上方」等用语在本专利技术中的含义应该以最宽泛方式来解释，使得「在…上」及「在…上方」等用语不仅指直接处于某物上，而且还可以包括在有中间特征或中间层位于二者之间的情况下而处于某物上，并且「在…上」或「在…上方」不仅指处于某物之上或上方，而且还可以包括在二者之间没有中间特征或中间层的情况下而处于在某物之上或上方(即直接处于某物上)的情况。此外，在下文中除非有相反的指示，本专利技术及权利要求书所阐述的数值参数都是约略数，其可视需要而变化，或至少应根据所公开的有意义的位数数字并且使用通常的进位方式，以解读各个数值参数。本专利技术中，范围可表示为从一端点至另一端点，或是在两个端点之间。除非特别声明，否则本专利技术中的所有范围皆包含端点。须知悉的是，在不脱离本专利技术的精神下，下文所描述的不同实施方式中的技术特征彼此间可以被置换、重组、混合，以构成其他的实施例。图1是根据本专利技术一实施例所绘示的表面处理铜箔的剖面示意图。如图1所示，表面处理铜箔100至少包括处理面100A。根据本专利技术一实施例的表面处理铜箔100还进一步包括主体铜箔110及表面处理层112。主体铜箔110可以是压延铜箔或是电解铜箔，其厚度通常大于或等于6μm，例如介于7-250μm之间，或介于9μm～210μm之间。对于主体铜箔110为电解铜箔的情形，此电解铜箔可通过电沉积(或称电解、电解沉积、电镀)制程而被形成。主体铜箔110具有两相对设置的第一面110A和第二面110B。根据本专利技术的一实施例，当主体铜箔110为压延铜箔时，第一面110A和第二面110B至少一者的算术平均高度(Ra)为0.1μ～0.4μm，但不限定于此。根据本专利技术的一实施例，当主体铜箔110为电解铜箔时，电解铜箔的沉积面(depositedside)可以对应至主体铜箔110的第一面110A，而电解铜箔的辊筒面(drumside)可以对应至主体铜箔110的第二面110B，但不限定于此。根据本专利技术的一实施例，主体铜箔110的第一面110A和第二面110B上可分别设置有其他的层，例如可在第一面110A设置表面处理层112，和/或在第二面110B设置另一表面处理层112。对于设置有表面处理层112的表面处理铜箔100而言，表面处理层112的外侧面可以被视为是表面处理铜箔100的处理面100A。根据本专利技术的其他实施例，主体铜箔110的第一面110A和第二面110B可以进一步设置有其他的单层或多层结构、或是第一面110A和第二面110B的表面处理层112可以被其他的单层或多层结构取代、或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面处理铜箔，其特征在于，包括一处理面，其中所述处理面的空隙体积为0.1至1.0μm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190201 US 62/800,263;20191125 US 16/694,412一种表面处理铜箔，其特征在于，包括一处理面，其中所述处理面的空隙体积为0.1至1.0μm
3/μm
2，且所述处理面的最大高度为1.0至7.0μm。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述处理面的空隙体积为0.1至0.7μm
3/μm
2。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述处理面的最大高度为1.2至7.0μm。


如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述处理面的核心部空隙体积为0.08至0.84μm
3/μm
2。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述处理面的波谷部空隙体积为0.01至0.07μm
3/μm
2。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述处理面的镍附着量为40至200μg/dm
2。



如权利要求6所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述处理面的镍附着量为40至120μg/dm
2。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述表面处理铜箔的含氧量及含氢量的总和小于或等于300ppm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建铭，赖耀生，周瑞昌，
申请(专利权)人：长春石油化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71