表面处理铜箔及铜箔基板制造技术

一种表面处理铜箔(100)，包括处理面(100A)，其中处理面(100A)的空隙体积(Vv)为0.1至1.0μm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面处理铜箔及铜箔基板
本专利技术涉及铜箔的
，尤其涉及一种表面处理铜箔及其铜箔基板。
技术介绍
随着电子产品逐渐朝向轻薄以及传递高频信号的趋势发展，对于铜箔和铜箔基板的需求也日益提升。一般而言，铜箔基板的铜导电线路会被绝缘载板承载，且通过导电线路的布局设计，其可将电信号沿着预定的路径传递至预定区域。此外，对于用于传递高频电信号(例如高于10GHz)的铜箔基板而言，其铜箔基板的导电线路也必须进一步优化，以降低因集肤效应(skineffect)而产生的信号传递损失(signaltransmissionloss)。所谓的集肤效应，是指随着电信号的频率增加，电流的传递路径会更加集中于导线的表面，例如紧邻于载板的导线表面。为了降低集肤效应而产生的信号传递损失，现有做法是尽可能将铜箔基板中紧邻于载板的导线表面予以平坦化。然而，即便上述做法确实可有效降低铜箔基板所产生的信号传递损失，其仍存有待克服的技术缺陷。举例而言，由于导线表面会较平坦，因此导线和载板间的附着性通常会较低。在这样的情况下，即便采用了较低粗糙度的铜箔以制作导线，铜箔基板中的导线仍很容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面处理铜箔，其特征在于，包括一处理面，其中所述处理面的空隙体积为0.1至1.0μm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190201 US 62/800,263;20191125 US 16/694,412一种表面处理铜箔，其特征在于，包括一处理面，其中所述处理面的空隙体积为0.1至1.0μm
3/μm
2，且所述处理面的最大高度为1.0至7.0μm。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述处理面的空隙体积为0.1至0.7μm
3/μm
2。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述处理面的最大高度为1.2至7.0μm。


如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述处理面的核心部空隙体积为0.08至0.84μm
3/μm
2。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述处理面的波谷部空隙体积为0.01至0.07μm
3/μm
2。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述处理面的镍附着量为40至200μg/dm
2。



如权利要求6所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述处理面的镍附着量为40至120μg/dm
2。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，其中所述表面处理铜箔的含氧量及含氢量的总和小于或等于300ppm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建铭，赖耀生，周瑞昌，
申请(专利权)人：长春石油化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71