水平传感器和光刻设备制造技术

技术编号:26348612 阅读:48 留言:0更新日期:2020-11-13 21:45
本发明专利技术提供了一种用于测量衬底的表面的位置的水平传感器,包括:投影单元,被布置成将辐射束引导至所述衬底的所述表面;和检测单元。所述检测单元包括:检测光栅,被布置成接收在所述衬底的所述表面上反射的辐射束;一个或更多个检测器;一个或更多个光学元件,用以将所述辐射束从所述检测光栅引导至所述一个或更多个检测器;以及处理单元,用以基于由所述一个或更多个检测器所接收到的辐射束来确定所述衬底的所述表面的位置。所述检测光栅和所述一个或更多个光学元件被集成在单个集成光学元件中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】水平传感器和光刻设备相关申请的交叉引用本申请主张于2018年4月11日提交的欧洲申请18166754.4的优先权,该欧洲申请的全部内容通过引用方式合并入本文。
本专利技术涉及一种水平传感器以及一种包括这种水平传感器的光刻设备。
技术介绍
光刻设备是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。例如,光刻设备可用于制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如,掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置于衬底(例如,晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。随着半导体制造工艺持续发展,电路元件的尺寸已持续地减小,同时每个装置的功能性元件(诸如晶体管)的数量在过去数十年中一直稳定地增长,遵循了通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律,半导体行业正在追寻能够创建越来越小的特征的技术。为了将图案投影在衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了在衬底上图案化的特征的最小大小。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于测量衬底的表面的位置的水平传感器,包括:/n投影单元,所述投影单元被布置成将辐射束引导至所述衬底的所述表面,/n检测单元,包括:/n检测光栅,被布置成接收在所述衬底的所述表面上反射的所述辐射束,/n一个或更多个检测器,/n一个或更多个光学元件,用于将所述辐射束从所述检测光栅引导至所述一个或更多个检测器,以及/n处理单元,用于基于由所述一个或更多个检测器所接收的辐射束来确定所述衬底的所述表面的位置,/n其中所述检测光栅和所述一个或更多个光学元件被集成在单个集成光学元件中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180411 EP 18166754.41.一种用于测量衬底的表面的位置的水平传感器,包括:
投影单元,所述投影单元被布置成将辐射束引导至所述衬底的所述表面,
检测单元,包括:
检测光栅,被布置成接收在所述衬底的所述表面上反射的所述辐射束,
一个或更多个检测器,
一个或更多个光学元件,用于将所述辐射束从所述检测光栅引导至所述一个或更多个检测器,以及
处理单元,用于基于由所述一个或更多个检测器所接收的辐射束来确定所述衬底的所述表面的位置,
其中所述检测光栅和所述一个或更多个光学元件被集成在单个集成光学元件中。


2.根据权利要求1所述的水平传感器,其中,所述单个集成光学元件是一体型元件或充当一体型元件。


3.根据前述权利要求中任一项所述的水平传感器,其中,所述一个或更多个检测器被集成在所述单个集成光学元件中。


4.根据前述权利要求中任一项所述的水平传感器,其中,所述单个集成光学元件包括透明材料块,其中,所述检测光栅被布置在所述透明材料块上和/或形成在所述透明材料块的表面上或中。


5.根据权利要求4所述的水平传感器,其中,所述一个或更多个检测器被布置在所述透明材料块上。


6.根据权利要求4所述的水平传感器,其中,所述透明材料块包括至少一个反射表面,所述至少一个反射表面被配置成将所述辐射束或所述辐射束的一部分反射到所述一个或更多个检测器。


7.根据权利要求6所述的水平传感器,其中,所述至少一个反射表面具有弯曲的形状,所述弯曲的形状被配置成将所述辐射束或所述辐射束的一部分聚焦于所述一个或更多个检测器上。


8.根据前述权利要求中任一项所述的水平传感器,其中,所述检测光栅被配置成将所述辐射束拆分成第一束部分和第二束部分,其中,所述一个或更多个检测器被配置成接收所述第一束部分和所述第二束部分。


9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:S·R·胡伊斯曼M·P·瑞因德斯
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司
类型:发明
国别省市:荷兰;NL

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