膜制造装置和双面层叠膜的制造方法制造方法及图纸

膜制造装置制造长条的双面层叠膜。该膜制造装置具有：层叠单元，其在长条的基材膜的厚度方向一侧层叠第1层来制作单面层叠膜，在单面层叠膜的厚度方向另一侧层叠第2层来制作双面层叠膜；输送单元，其将单面层叠膜和双面层叠膜沿输送方向输送；标记单元，其对单面层叠膜赋予标记；测量单元，其测量层叠膜和双面层叠膜的物理性质；检测单元，其配置于测量单元的输送方向上游侧，对标记进行检测；以及运算单元，其基于单面层叠膜的第1位置处的物理性质和双面层叠膜的第2位置处的物理性质来求出第1层的物理性质和第2层的物理性质。运算单元以标记为基准，将在厚度方向上与第1位置大致相同的位置设为第2位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】膜制造装置和双面层叠膜的制造方法
本专利技术涉及膜制造装置和双面层叠膜的制造方法。
技术介绍
以往通过卷对卷方式在基材膜的两个面层叠导电膜来制造双面导电性膜。双面导电性膜要求其电阻值(薄层电阻)处于期望的范围内，因此，需要分别对两个面的导电膜的电阻值进行测量来发现品质不良。作为其方法，众所周知如下的方法，即，在卷取双面导电性膜之前，使用涡流线圈传感器等非接触式电阻测量装置来测量双面导电性膜的电阻值(例如参照专利文献1)。专利文献1的测量方法具有：在膜的表面蒸镀导体层之后利用涡流式线圈传感器来测量表面侧导体层的电压V1并计算出表面电阻值R1的工序；在膜的背面蒸镀导体层之后利用涡流线圈传感器来测量双面导体层的合成电压V1+2并计算出双面合成电阻值R1+2的工序；以及使用特定的式子根据表面电阻值R1和双面合成电阻值R1+2来计算出背面电阻值R2的工序。当对双面导电性膜使用非接触式电阻测量方法时，检测到的涡流的电压(进而是电阻值)是表面侧导体层的电压V1与背面侧导体层的电压V2的合成值V1+2，因此，无法分别测量各个电压(进而是电阻值)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种膜制造装置，其为制造长条的双面层叠膜的膜制造装置，该膜制造装置的特征在于，具有：/n层叠单元，其在长条的基材膜的厚度方向一侧层叠第1层来制作单面层叠膜，在所述单面层叠膜的厚度方向另一侧层叠第2层来制作双面层叠膜；/n输送单元，其将所述单面层叠膜和所述双面层叠膜沿输送方向输送；/n标记单元，其对所述单面层叠膜赋予标记；/n测量单元，其测量所述单面层叠膜和所述双面层叠膜的物理性质；/n检测单元，其配置于所述测量单元的输送方向上游侧，对所述标记进行检测；以及/n运算单元，其基于所述单面层叠膜的第1位置处的所述物理性质和所述双面层叠膜的第2位置处的所述物理性质来求出所述第1层的所述物理性质和所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180327 JP 2018-0599921.一种膜制造装置，其为制造长条的双面层叠膜的膜制造装置，该膜制造装置的特征在于，具有：
层叠单元，其在长条的基材膜的厚度方向一侧层叠第1层来制作单面层叠膜，在所述单面层叠膜的厚度方向另一侧层叠第2层来制作双面层叠膜；
输送单元，其将所述单面层叠膜和所述双面层叠膜沿输送方向输送；
标记单元，其对所述单面层叠膜赋予标记；
测量单元，其测量所述单面层叠膜和所述双面层叠膜的物理性质；
检测单元，其配置于所述测量单元的输送方向上游侧，对所述标记进行检测；以及
运算单元，其基于所述单面层叠膜的第1位置处的所述物理性质和所述双面层叠膜的第2位置处的所述物理性质来求出所述第1层的所述物理性质和所述第2层的所述物理性质，
所述运算单元以所述标记为基准，将在厚度方向上与所述第1位置大致相同的位置设为所述第2位置。


2.根据权利要求1所述的膜制造装置，其特征在于，
所述第1层为第1导电层，
所述第2层为第2导电层，
所述物理性质为薄层电阻。


3.根据权利要求1所述的膜制造装置，其特征在于，
所述测量单元还具有：
探测单元，其与所述单面层叠膜和所述双面层叠膜相对地配置；以及
扫描单元，其使所述探测单元沿与所述输送方向交叉的交叉方向扫描。


4.一种双面层叠膜的制造方法，其为制造长条的双面层叠膜的方法，
该双面层叠膜的制造方法的特征在于，具有如下工序：
第1层叠工序，在该工序中，在长条的基材膜的厚度方向一侧层叠第...

【专利技术属性】
技术研发人员：森光大树，首藤俊介，西胁谦一郎，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP