电子设备盖板用微晶玻璃制品和微晶玻璃制造技术

一种电子设备盖板用微晶玻璃制品和微晶玻璃，所述微晶玻璃的主要晶相含有硅酸锂和石英晶相，其组成按重量百分比表示，含有：SiO

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子设备盖板用微晶玻璃制品和微晶玻璃
本专利技术涉及一种微晶玻璃制品和微晶玻璃，尤其是涉及一种电子设备盖板用微晶玻璃制品、微晶玻璃、电子设备用玻璃盖板和电子设备。
技术介绍
电子设备由于其内部具有许多精密的电子元器件，因此需要设置盖板或者外壳对内部的电子元器件加以保护。现有文献中公开的内容中，多用金属作为盖板材料，但金属存在着易氧化、对电磁信号有屏蔽等缺点；也有文献中公开采用玻璃作为盖板使用的，例如中国专利CN101508524A公开了一种化学强化玻璃，其抗跌落性能和断裂韧性等性能难以满足要求。微晶玻璃是一种通过对玻璃进行热处理而在玻璃内部析出结晶的材料。微晶玻璃通过在内部分散的结晶，能够具备在玻璃中无法得到的物性值。例如，对于杨氏模量、断裂韧性等机械强度，对酸性或碱性药液的蚀刻特性，热膨胀系数等热性能，玻璃化转变温度的上升以及消失等。微晶玻璃具有更高的机械性能，并且由于在玻璃中形成微晶，其抗弯、耐磨性能等相对于一般的玻璃都有明显的优势。基于以上因素，本专利技术人以期通过大量实验研究，研发出具有优异机械性能的微晶玻璃，适用于电子设备。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种电子设备盖板用微晶玻璃制品，其具有优异的机械性能。本专利技术解决技术问题所采用的技术方案是：(1)电子设备盖板用微晶玻璃制品，其主要晶相含有硅酸锂和石英晶相，其组成按重量百分比表示，含有：SiO2：65～85％、Al2O3：1～15％、Li2O：5～15％、ZrOr>2：0.1～10％、P2O5：0.1～10％、K2O：0～10％、MgO：0～10％、ZnO：0～10％、Na2O：0～5％，其中(SiO2+Al2O3+Li2O+ZrO2)/P2O5为40～90，落球试验高度为700mm以上。(2)电子设备盖板用微晶玻璃制品，其组成按重量百分比表示，含有：SiO2：65～85％、Al2O3：1～15％、Li2O：5～15％、ZrO2：0.1～10％、P2O5：0.1～10％、K2O：0～10％、MgO：0～10％、ZnO：0～10％、Na2O：0～5％。(3)根据(1)～(2)任一所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其组成按重量百分比表示，还含有：SrO：0～5％、BaO：0～5％、TiO2：0～5％、Y2O3：0～5％、B2O3：0～3％、澄清剂：0～2％。(4)根据(1)～(3)任一所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其中：(SiO2+Li2O)/Al2O3为6～15、(Al2O3+Li2O)/P2O5为5～20、(SiO2+Li2O)/P2O5为40～80、(K2O+MgO)/ZrO2为0.6～1.2、或Li2O/(K2O+ZrO2)为2.3～4.0。(5)根据(1)～(4)任一所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其中：(SiO2+Li2O)/Al2O3为8～13、(Al2O3+Li2O)/P2O5为6～14、(SiO2+Li2O)/P2O5为40～70、(SiO2+Al2O3+Li2O+ZrO2)/P2O5为45～85、(K2O+MgO)/ZrO2为0.7～1.1、和Li2O/(K2O+ZrO2)为2.5～3.5。(6)根据(1)～(5)任一所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其组成按重量百分比表示，含有：SiO2：70～76％、Al2O3：4～10％、Li2O：8～12.5％、ZrO2：1～5％、P2O5：1～3％、K2O：0～3％、MgO：0.3～2％、ZnO：0～3％、Na2O：0～1％、Sb2O3：0～1％、SnO2：0～1％、SnO：0～1％、或CeO2：0～1％。(7)根据(1)～(6)任一所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其中：(Al2O3+Li2O)/P2O5为8.5～14、(SiO2+Li2O)/P2O5为45～60、(SiO2+Al2O3+Li2O+ZrO2)/P2O5为48～80、或(SiO2+Li2O)/Al2O3为8.5～12。(8)根据(1)～(7)任一所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其中：(K2O+MgO)/ZrO2为0.8～1.0、或Li2O/(K2O+ZrO2)为2.8～3.3。(9)根据(1)～(8)任一所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其组成按重量百分比表示，含有：Li2O：8～小于10％、不含有SrO、不含有BaO、不含有TiO2、不含有Y2O3、不含有GeO2、不含有CaO、不含有Cs2O、不含有PbO、不含有B2O3、不含有As2O3、不含有La2O3、和不含有Tb2O3。(10)根据(1)～(9)任一所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，结晶度为70％以上。(11)根据(1)～(10)任一所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，落球试验高度为1000mm以上；或四点弯曲强度为650MPa以上；或0.55mm厚度的雾度为0.5％以下；或折射率温度系数为-0.8×10-6/℃以下；或0.55mm厚550nm波长的光透射率为88％以上。本专利技术还提供一种微晶玻璃，其具有优异的机械性能。本专利技术解决技术问题所采用的技术方案是：(12)微晶玻璃，其主要晶相含有硅酸锂和石英晶相，其组成按重量百分比表示为：SiO2：65～85％、Al2O3：1～15％、Li2O：5～15％、ZrO2：0.1～10％、P2O5：0.1～10％、K2O：0～10％、MgO：0～10％、ZnO：0～10％、Na2O：0～3％，Sb2O3：0～1％、SnO2：0～1％、SnO：0～1％、CeO2：0～1％，其中(SiO2+Al2O3+Li2O+ZrO2)/P2O5为40～90，(K2O+MgO)/Zr本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子设备盖板用微晶玻璃制品，其特征在于，其主要晶相含有硅酸锂和石英晶相，其组成按重量百分比表示，含有：SiO

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】电子设备盖板用微晶玻璃制品，其特征在于，其主要晶相含有硅酸锂和石英晶相，其组成按重量百分比表示，含有：SiO
2：65～85％、Al
2O
3：1～15％、Li
2O：5～15％、ZrO
2：0.1～10％、P
2O
5：0.1～10％、K
2O：0～10％、MgO：0～10％、ZnO：0～10％、Na
2O：0～5％，其中(SiO
2+Al
2O
3+Li
2O+ZrO
2)/P
2O
5为40～90，落球试验高度为700mm以上。



如权利要求1所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其特征在于，其组成按重量百分比表示，还含有：SrO：0～5％、BaO：0～5％、TiO
2：0～5％、Y
2O
3：0～5％、B
2O
3：0～3％、澄清剂：0～2％。



如权利要求1或2任一权利要求所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其特征在于，其中：(SiO
2+Li
2O)/Al
2O
3为6～15、(Al
2O
3+Li
2O)/P
2O
5为5～20、(SiO
2+Li
2O)/P
2O
5为40～80、(K
2O+MgO)/ZrO
2为0.6～1.2、或Li
2O/(K
2O+ZrO
2)为2.3～4.0。



如权利要求1或2任一权利要求所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其特征在于，其中：(SiO
2+Li
2O)/Al
2O
3为8～13、(Al
2O
3+Li
2O)/P
2O
5为6～14、(SiO
2+Li
2O)/P
2O
5为40～70、(SiO
2+Al
2O
3+Li
2O+ZrO
2)/P
2O
5为45～85、(K
2O+MgO)/ZrO
2为0.7～1.1、和Li
2O/(K
2O+ZrO
2)为2.5～3.5。



如权利要求1或2任一权利要求所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其特征在于，其组成按重量百分比表示，含有：SiO
2：70～76％、Al
2O
3：4～10％、Li
2O：8～12.5％、ZrO
2：1～5％、P
2O
5：1～3％、K
2O：0～3％、MgO：0.3～2％、ZnO：0～3％、Na
2O：0～1％、Sb
2O
3：0～1％、SnO
2：0～1％、SnO：0～1％、或CeO
2：0～1％。



如权利要求1或2任一权利要求所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其特征在于，其中：(Al
2O
3+Li
2O)/P
2O
5为8.5～14、(SiO
2+Li
2O)/P
2O
5为45～60、(SiO
2+Al
2O
3+Li
2O+ZrO
2)/P
2O
5为48～80、或(SiO
2+Li
2O)/Al
2O
3为8.5～12。



如权利要求1或2任一权利要求所述的电子设备盖板用微晶玻璃制品，其特征在于，其中：(K
2O+MgO)/ZrO
2为0.8～1.0、或Li
2O/(K
2O+ZrO
2)为2.8～3.3。



如权利要求1或2任一权利要求所述的电子设备盖板...

【专利技术属性】
技术研发人员：原保平，
申请(专利权)人：成都创客之家科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51