研磨垫及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种经时研磨速率的稳定性高的研磨垫及其制造方法。一种研磨垫，包括具有聚氨基甲酸酯片的研磨层，其中在水浴中浸泡3天的湿润状态的所述聚氨基甲酸酯片在初始负荷148g、应变范围0.1％、测定频率1.6Hz、拉伸模式下的20℃～100℃的温度范围内的损耗角正切tanδ的峰值(tanδ峰值

Grinding pad and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】研磨垫及其制造方法
本专利技术涉及一种研磨垫及其制造方法。特别涉及一种光学材料、半导体晶片、半导体元件、硬盘(harddisk)用基板等的化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)加工用研磨垫及其制造方法。
技术介绍
对于硅(silicon)、硬盘用基板、薄型液晶显示器用母玻璃(motherglass)、半导体晶片、半导体元件等的材料的表面，要求平坦性，因此进行使用研磨垫的游离磨粒方式的研磨。游离磨粒方式为以下方法：一面在研磨垫与被研磨物之间供给研磨液(研磨浆料)，一面对被研磨物的加工面进行研磨加工。对于半导体元件用的研磨垫来说，对其研磨垫表面需求用来保持研磨浆料的开孔、维持半导体元件表面的平坦性的硬性、以及防止半导体元件表面的刮伤(scratch)的弹性。作为可以应对这些要求的研磨垫，利用具有由氨基甲酸酯树脂发泡体所制造的研磨层的研磨垫。氨基甲酸酯树脂发泡体通常是通过包含含有聚氨基甲酸酯键的异氰酸酯化合物的预聚物与硬化剂的反应进行硬化而成形(干式法)。然后，将此发泡体切片(slice)成片状本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨垫，包括具有聚氨基甲酸酯片的研磨层，其中/n在水浴中浸泡3天的湿润状态的所述聚氨基甲酸酯片在初始负荷148g、应变范围0.1％、测定频率1.6Hz、拉伸模式下的20℃～100℃的温度范围内的损耗角正切tanδ的峰值(tanδ峰值

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180330 JP 2018-0668081.一种研磨垫，包括具有聚氨基甲酸酯片的研磨层，其中
在水浴中浸泡3天的湿润状态的所述聚氨基甲酸酯片在初始负荷148g、应变范围0.1％、测定频率1.6Hz、拉伸模式下的20℃～100℃的温度范围内的损耗角正切tanδ的峰值(tanδ峰值wet)与未浸泡在水浴中的干燥状态的所述聚氨基甲酸酯片在初始负荷148g、应变范围0.1％、测定频率1.6Hz、拉伸模式下的20℃～100℃的温度范围内的损耗角正切tanδ的峰值(tanδ峰值dry)之间的、利用下述式求出的tanδ峰值变化率为15％以下。
tanδ峰值变化率＝|tanδ峰值wet-tanδ峰值dry|/tanδ峰值dry×100


2.根据权利要求1所述的研磨垫，其中，所述湿润状态的聚氨基甲酸酯片在40℃、初始负荷148g、应变范围0.1％、测定频率1.6Hz、拉伸模式下的储能模量(E'wet)与所述干燥状态的聚氨基甲酸酯片在40℃、初始负荷148g、应变范围0.1％、测定频率1.6Hz、拉伸模式下的储能模量(E'dry)之间的、利用下述式求出的储能模量的变化率为32％以下。
储能模量的变化率＝|E'wet-E'dry|/E'dry×100


3.根据权利要求1或2所述的研磨垫，其中，所述湿润状态的聚氨基甲酸酯片在初始负荷148g、应变范围0.1％、测定频率1.6Hz、拉伸模式下的20℃～100℃的温度范围内的tanδ峰值温度为60℃～100℃，且所述干燥状态的聚氨基甲酸酯片在初始负荷148g、应变范围0.1％、测定频率1.6Hz、拉伸模式下的20℃～100℃的温度范围内的tanδ峰值温度为60℃～100℃。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的研磨垫，其中，所述tanδ峰值...

【专利技术属性】
技术研发人员：松冈立马，栗原浩，鸣岛早月，高见沢大和，
申请(专利权)人：富士纺控股株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP