【技术实现步骤摘要】
一种针对自旋转移力矩纳米振荡器的相位调制方法
本专利技术涉及相位调制领域，具体地说，是涉及一种针对自旋转移力矩纳米振荡器的相位调制方法。
技术介绍
在受到外界扰动时磁矩会围绕着有效场方向做进动，但是由于受磁体内部阻尼的影响这种进动不能长时间维持下去，它的进动角(即磁矩与有效场的夹角)会变得越来越小，磁矩最终会停止于有效场方向。但此时如果存在一个外加磁场方向与有效场不一致，则在一定的情况下，当外磁场提供的能量与被阻尼消耗的能量相等，则进动便可以在一个固定的位置维持下去。知道当自由层磁矩方向发生变化时，MTJ会呈现不同的阻态，因为固定层磁矩位置不变，而自由层磁矩在进动时位置处于周期变化中，所以MTJ会向一个振荡器一样输出周期变化的电阻信号。早期人们一般是通过磁场来控制MTJ中自由层的运动，自旋转移力矩纳米振荡器就是利用极化电流引起的自由层磁矩持续的进动，并结合磁电阻效应而得到微波振荡输出。一般来说在适当的电流范围内，不同的电流的大小会导致自旋转移力矩纳米振荡器有不同的振荡频率。对于相位调制由于自旋转移力矩纳米振荡器器件的...
【技术保护点】
1.一种针对自旋转移力矩纳米振荡器的相位调制方法，包括器件，其特征在于，所述器件为自由层垂直极化且固定层平行于平面，利用两种不同的本征相位差来进行相位调制，包括以下步骤：/nA将所述自旋转移力矩纳米振荡器的器件注入直流电流，使其以频率ω
【技术特征摘要】
1.一种针对自旋转移力矩纳米振荡器的相位调制方法，包括器件，其特征在于，所述器件为自由层垂直极化且固定层平行于平面，利用两种不同的本征相位差来进行相位调制，包括以下步骤：
A将所述自旋转移力矩纳米振荡器的器件注入直流电流，使其以频率ωg振荡；
B间隙性给自旋转移力矩纳米振荡器的x和y方向同时施加频率为ωg的微波磁场，选择不同的kx，ky配比，中kx，ky分别指x和y方向的磁场强度，利用相位公式来实现不同大小的线性相位调制。
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【专利技术属性】
技术研发人员：曾琅，刘洋，张德明，赵巍胜，
申请(专利权)人：北京航空航天大学合肥创新研究院，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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