【技术实现步骤摘要】
半导体可控硅的悬浮电压的去除方法
本专利技术涉及半导体可控硅领域,具体涉及一种半导体可控硅的悬浮电压的去除方法。
技术介绍
近年来,工业智能控制设备已经广泛应用于工业,采矿业,冶金,船舶等行业。作为工业智能控制设备的核心部件-功率半导体驱动部件,连接的负载端一般连接电机类的负载,以驱动各种电机满足多样的生产工艺要求。由于其半导体的导电特性,其安全性及稳定性一直受人们的关注。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,半导体断开状态与接触器不同,接触器是纯物理断开,半导体断开只是驱动信号为关断信号,物理上还与负载端连接,由于等效阻抗的存在,关断情况下也有一定的漏电流或悬浮电压,人体一旦触输出端,半导体,人体与大地形成回路,造成触电危险。在检修工业智能控制设备时,整个系统处于停止状态,功率半导体处于断开状态,与功率半导体连接的电机负载端通常电压为0V,电机停止转动。而通常操作人员认为停机后,输出端与输入端间的半导体是不工作的,断开的,误认为输出端不带电的。把电机端与功率半导体断开检修或其他操作时,其输出端会呈现与输 ...
【技术保护点】
1.一种半导体可控硅的悬浮电压的去除方法,其特征在于,包括:将悬浮电压吸收装置与电机负载一起并联在功率半导体的输出端;其中,所述悬浮电压吸收装置用于吸收功率半导体在停机状态下的漏电流或悬浮电压,进而限制功率半导体的输出电压小于预设安全电压;所述悬浮电压吸收装置整体呈现阻性。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体可控硅的悬浮电压的去除方法,其特征在于,包括:将悬浮电压吸收装置与电机负载一起并联在功率半导体的输出端;其中,所述悬浮电压吸收装置用于吸收功率半导体在停机状态下的漏电流或悬浮电压,进而限制功率半导体的输出电压小于预设安全电压;所述悬浮电压吸收装置整体呈现阻性。
2.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法,其特征在于,所述功率半导体的阻值为1.5MΩ。
3.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法,其特征在于,所述功率半导体的阻值为1MΩ到2MΩ。
4.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法,其特征在于,所述预设安全电压是36V。
5.如权利要求1所述的半导体可控硅的悬浮电压的去除方法,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:卞光辉,范俊,
申请(专利权)人:苏州艾克威尔科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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