【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于集成电路的设计,特别是关于在晶片上监测电熔丝(electrical fuse)的电阻的方法。
技术介绍
半导体存储器元件中广泛地运用熔丝(fuse)元件。诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储器元件中一般运用了多个的熔丝元件。一般而言,每个熔丝元件皆包括可选择性地切断的熔丝,以便选择性地将熔丝元件自其余的电路分离。有时将切断熔丝的过程称为将熔丝“烧断”。目前运用来烧断熔丝的技术基本上有两种。其中的一方法运用激光照射熔丝,直到熔丝烧断为止;另一方法则借传送够大的“过电流”(overcurrent)通过熔丝以烧断该熔丝。于熔丝元件(元件中通常至少包括一MOS晶体管)中烧断熔丝的过程,通常称之为“编程”(programming)该熔丝元件。不似使用激光的方式,于元件封装后仍可运用“过电流”的技术,以编程一熔丝元件。运用过电流烧断熔丝以编程熔丝元件的技术因而被称为“电编程”(electrical programming),而可接受此编程方式的熔丝元件被称为“电可编程熔丝”元件(electrically programmable fuseele ...
【技术保护点】
一种监测电熔丝电阻的系统,所述监测电熔丝电阻的系统包括:至少一非刷新型感测放大器;至少一熔丝模块,包括至少一熔丝单元,该熔丝单元耦接至该感测放大器的第一端点;以及参考电阻,耦接至该感测放大器的第二端点;其中系 统对于介于该熔丝模块与该感测放大器间的电压源节点进行监测以得到该熔丝单元的电阻值。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:庄建祥,陈云升,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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