电场传感器及其调节方法技术

本发明专利技术涉及一种电场传感器，包括：光源（１）；光电晶体（７），基于被测量信号对它施加电场，其中双折射率根据该电场变化，并根据该双折射率变化从光源入射的光的偏振状态和发射该光；和检测器（９，１７，１９，２１），根据从光电晶体发射的光的偏振状态的变化检测电信号。另外，该电场传感器包括：基于被测量信号向光电晶体（７）施加电场的信号电极（１１）；与该信号电极（１１）形成一对的相对电极（１２）；和电连接到该相对电极（１２）并与地形成电容的辅助电极（６１）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种电场传感器和调节该电场传感器的方法，该电场传感器向加上被测量电场的光电(Electro Optic)晶体(下面称为“EO晶体”)照射激光并通过检测该激光测量施加的电场的电场强度。
技术介绍
利用EO效应的电场传感器使光束入射到施加了交流电场的EO晶体上，使得偏振分光器(Polarizing Beam Splitter，下面称为“PBS”)将从EO晶体发射的光分离成S偏振光与P偏振光，并使得两个光检测器(Photo Detector，下面称为PD)独立地检测各个偏振光。差动放大器检测各偏振光的强度之差。该光束入射到PBS之前，期望该光束是圆偏振光。以下列举圆偏振光时的主要优点。(1)光束的强度调制度最大，有助于高灵敏度检测差动信号。基于差动信号的检测，可将PD的输出信号的振幅放大到2倍。(2)基于差动信号的检测，可降低光束的强度噪声，这有助于差动信号的高灵敏度检测。(3)基于差动信号的检测，可以补偿该信号的直流分量，这有助于减小信号处理电路的负载。图1是常规电场传感器的动作说明图。从光源1发射的光束3透过1/4波长板(Quarter Wave Plate，下面称为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电场传感器，其特征在于：包括光源（１）；光电晶体（７），基于被测量信号对它施加电场，其中双折射率根据该电场变化，并根据该双折射率变化从所述光源（１）入射的光的偏振状态和发射该光；检测器（９，１７，１９，２１），根 据从所述光电晶体（７）发射的光的所述偏振状态的变化检测电信号；第一电极（１１），接近所述光电晶体（７）设置，并基于所述被测量信号向所述光电晶体（７）施加电场；第二电极（１２），接近所述光电晶体（７）设置，从而与所述第一电极（ １１）形成一对；和辅助电极（６１），电连接到所述第二电极（１２）并与地之间形成电...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木爱一郎，品川满，柴田信太郎，美浓谷直志，藤浦和夫，笹浦正弘，丰田诚治，
申请(专利权)人：日本电信电话株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]