一种带有超高速接口手机OLED屏幕缓存芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种带有超高速接口手机OLED屏幕缓存芯片，属于数据存储技术领域,包括缓存存储芯片，所述缓存存储芯片包括连接于主体芯片的系统芯片总线接口；所述系统芯片总线接口包括用于输出驱动和接收信号的输入输出单元、以及与输入输出单元连接的用于外部电路数据传输的连接器；用于数据保存和读取的静态随机存取单元；所述静态随机存取单元设有静态存储编译器；纠正模块；用于从设备主体输入的数据信号转换为屏幕驱动芯片所需的信号的控制模块；用于显示驱动芯片提供数据通道的高速连接接口，所述高速连接接口包括超高速接口电路、芯片管脚处理模块；该带有超高速接口手机OLED屏幕缓存芯片,降低了功耗。

An OLED screen cache chip for mobile phone with ultra high speed interface

【技术实现步骤摘要】
一种带有超高速接口手机OLED屏幕缓存芯片
本专利技术属于数据存储
，具体涉及带有超高速接口手机OLED屏幕缓存芯片。
技术介绍
手机OLED屏幕所用的整合型DDI驱动芯片含内存缓冲的单一芯片，受限于高压的工艺制成能力（8VHV的28nm的工艺制成难度高）与内存缓冲的容量限制（目前只能32M），所以使用3倍压缩内存技术，但每次解压缩的功耗很高；随着OLED屏分辨率的快速提升，势必要放弃压缩内存的方式，以降低功耗。其次整合型DDI驱动芯片含内存缓冲的单一芯片，与高压电路，逻辑电路整合在同一颗芯片内，内存缓冲的容量受到限制（目前只能32M），随着OLED屏分辨率的快速提升，需要至少64M以上的容量才足以应付中高阶的OLED屏；另外整合型DDI驱动芯片含内存缓冲的单一芯片不具备高速接口，不足以应付任何大屏幕、分辨率高、刷新速度高的产品。本专利技术主要目的是解决功耗、缓存容量、频宽等限制。功耗问题：整合型DDI驱动芯片含内存缓冲的单一芯片，受限于高压的工艺制成能力（6VHV的28nm的工艺制成难度高）与内存缓冲的容量限制（目前只能32M）本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有超高速接口手机OLED屏幕缓存芯片，其特征在于：包括缓存存储芯片（1），所述缓存存储芯片（1）包括连接于主体芯片的系统芯片总线接口；所述系统芯片总线接口包括用于输出驱动和接收信号的输入输出单元（3）、以及与输入输出单元（3）连接的用于外部电路数据传输的连接器（9）；/n用于数据保存和读取的静态随机存取单元（4）；所述静态随机存取单元（4）设有静态存储编译器（5）；/n纠正模块（6）；/n用于从设备主体输入数据信号并转换为屏幕驱动芯片所需信号的控制模块；/n用于显示驱动芯片提供数据通道的高速连接接口（8），所述高速连接接口（8）包括超高速接口电路（81）、芯片管脚处理模块（82）；/...

【技术特征摘要】
1.一种带有超高速接口手机OLED屏幕缓存芯片，其特征在于：包括缓存存储芯片（1），所述缓存存储芯片（1）包括连接于主体芯片的系统芯片总线接口；所述系统芯片总线接口包括用于输出驱动和接收信号的输入输出单元（3）、以及与输入输出单元（3）连接的用于外部电路数据传输的连接器（9）；
用于数据保存和读取的静态随机存取单元（4）；所述静态随机存取单元（4）设有静态存储编译器（5）；
纠正模块（6）；
用于从设备主体输入数据信号并转换为屏幕驱动芯片所需信号的控制模块；
用于显示驱动芯片提供数据通道的高速连接接口（8），所述高速连接接口（8）包括超高速接口电路（81）、芯片管脚处理模块（82）；
所述超高速接口电路（81）将模拟信号模块发出的时钟信号与外部时钟信号，经过系统时钟信号处理，经由数字逻辑模块分为1/2、1/4时钟信号，与时钟信号一起被存储，最终各时钟信号控制数据进入到静态存储编译器（5）。


2.根据权利要求1所述的一种带有超高速接口手机OLED屏幕缓存芯片，其特征在于：所述控制模块包括扫描单元（71）、备用单元（72）、时序单元（73）。

【专利技术属性】
技术研发人员：廖炳隆，薛佳伟，马翔，
申请(专利权)人：南京初芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32