用于分散与降低非易失性储存装置峰值电流与功耗的方法制造方法及图纸

技术编号:26341895 阅读:34 留言:0更新日期:2020-11-13 20:27
本发明专利技术公开了一种用于分散与降低非易失性储存装置峰值电流与功耗的方法,包括控制器芯片、存储介质和多个闪存芯片,存储介质中存储程序代码,存储介质连接控制器芯片,控制器芯片分别连接多个闪存芯片,本发明专利技术通过随时间分布非易失性存储器芯片的操作,特别是在不同时间点向每个非易失性存储器芯片发送命令,降低了整个系统的峰值电流。

【技术实现步骤摘要】
用于分散与降低非易失性储存装置峰值电流与功耗的方法
本专利技术涉及储存装置
,具体为用于分散与降低非易失性储存装置峰值电流与功耗的方法。
技术介绍
对于诸如闪存的非易失性存储器已经发现了越来越多的应用。例如,普遍使用手机,数码相机,个人数字助理,便携式驱动器中的闪存。目前,记忆卡是闪存的最流行的产品之一,其中,控制器芯片用于控制从诸如读卡器的主机接收数据的写入和数据写入闪存。然而,存储卡设计有更多或更多的存储容量,并增加存储卡的存储容量,通常采用两种方案,即提高了单闪存芯片的存储容量,另一个是增加存储卡中的闪存芯片的数量对于后一种情况,在存储卡中的闪存器的操作期间的功耗成为一个明显的问题。传统上,该峰值电流问题的解决方案是针对存储器系统本身的硬件设计的改进,以在不同的时间点对不同组件的功率进行源化,本专利技术的技术方案是在传统上同时提供电力。例如,美国专利No.7885189,7224617和7200062是这样的技术。在美国专利No.708189闪存装置组成分为四组用于数据存储,其中三个存储器库中添加有延迟电路,使得四个存储体在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于分散与降低非易失性储存装置峰值电流与功耗的方法,包括控制器芯片(1)、存储介质(2)和多个闪存芯片,其特征在于:所述存储介质(2)中存储程序代码,所述存储介质(2)连接控制器芯片(1),所述控制器芯片(1)分别连接多个闪存芯片;多个闪存芯片包括第一闪存芯片(3)和第二闪存芯片(4)。/n

【技术特征摘要】
1.用于分散与降低非易失性储存装置峰值电流与功耗的方法,包括控制器芯片(1)、存储介质(2)和多个闪存芯片,其特征在于:所述存储介质(2)中存储程序代码,所述存储介质(2)连接控制器芯片(1),所述控制器芯片(1)分别连接多个闪存芯片;多个闪存芯片包括第一闪存芯片(3)和第二闪存芯片(4)。


2.根据权利要求1所述的用于分散与降低非易失性储存装置峰值电流与功耗的方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、存储介质存储程序代码,控制器芯片根据程序代码对操作进行解集中程序代码,程序代码在指令时操作非易失性存储器芯片;
B、...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈育鸣李庭育魏智汎洪振洲
申请(专利权)人:江苏华存电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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