【技术实现步骤摘要】
纳米压印工艺监测装置、方法和纳米压印设备
本专利技术涉及工艺监测领域，特别涉及一种纳米压印工艺监测装置及方法和纳米压印设备。
技术介绍
目前对大面积晶圆的纳米压印工艺制成的监测多以间接的线下监测方法为主，无法在大面积晶圆的纳米压印量产中提供实时的工艺监测。另外，如何便捷地实现在大面积晶圆的纳米压印工艺监控遍历，是纳米压印工艺在线实时监测的技术难点之一。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提出一种纳米压印工艺监测装置，旨在便捷地实现对大面积晶圆全方位的实时工艺监测。为实现上述目的，本专利技术提出的一种纳米压印工艺监测装置，包括可移动的载物台、固定的光学监测台、及与所述光学监测台电连接的处理器，所述载物台用以安装待测晶圆，所述待测晶圆具有多个监测位置，所述监测位置设有PCM模块，所述光学监测台用于产生定向监测光路；安装有待测晶圆的所述载物台移动，以使待测晶圆上多个监测位置的PCM模块逐一移动至所述光学监测台的定向监测光路上，而使所述光学监测台能遍历所述多个监测位置，且所述光学监测台逐一获取多...
【技术保护点】
1.一种纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述纳米压印工艺监测装置包括可移动的载物台、固定的光学监测台、及与所述光学监测台电连接的处理器，所述载物台用以安装待测晶圆，所述待测晶圆具有多个监测位置，所述监测位置设有PCM模块，所述光学监测台用于产生定向监测光路；/n安装有待测晶圆的所述载物台移动，以使待测晶圆上多个监测位置的PCM模块逐一移动至所述光学监测台的定向监测光路上，而使所述光学监测台能遍历所述多个监测位置，且所述光学监测台逐一获取多个所述监测位置上PCM模块所分别反馈的监测光信息；所述处理器从所述光学监测台获取多个所述监测光信息，并根据多个所述监测光信息判断待测晶圆...
【技术特征摘要】
1.一种纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述纳米压印工艺监测装置包括可移动的载物台、固定的光学监测台、及与所述光学监测台电连接的处理器，所述载物台用以安装待测晶圆，所述待测晶圆具有多个监测位置，所述监测位置设有PCM模块，所述光学监测台用于产生定向监测光路；
安装有待测晶圆的所述载物台移动，以使待测晶圆上多个监测位置的PCM模块逐一移动至所述光学监测台的定向监测光路上，而使所述光学监测台能遍历所述多个监测位置，且所述光学监测台逐一获取多个所述监测位置上PCM模块所分别反馈的监测光信息；所述处理器从所述光学监测台获取多个所述监测光信息，并根据多个所述监测光信息判断待测晶圆上多个所述监测位置是否合格。
2.如权利要求1所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述载物台通过旋转、平移和升降中的至少一种移动方式进行移动，以使待测晶圆上多个监测位置的PCM模块逐一移动至所述光学监测台的定向监测光路上。
3.如权利要求1所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，待测晶圆的晶圆单面或晶圆双面上具有芯片区域、及环设于所述芯片区域外周的非功能区域，所述芯片区域设有多个芯片单元；
每一芯片单元设有一所述PCM模块，以在每一芯片单元处形成一所述监测位置；及/或
所述非功能区域上设有多个所述PCM模块，以在所述非功能区域上形成多个所述监测位置。
4.如权利要求3所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述非功能区域上的多个所述PCM模块在待测晶圆的周向上均匀间隔设置。
5.如权利要求1所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述PCM模块为纳米光栅。
6.如权利要求1所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述纳米压印工艺监测装置还包括告警模块，用于在判定所述监测位置为不合格时发出警告。
7.如权利要求1至6任一项所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述光学监测台包括光源和成像模块，所述光源用于定向发送监测光，以形成所述定向监测...
【专利技术属性】
技术研发人员：臧法珩，赵东峰，李琨，董立超，杜凯凯，艾立夫，王喆，饶轶，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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