纳米压印工艺监测方法、监测装置及纳米压印设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种纳米压印工艺监测方法、监测装置及纳米压印设备，其中，纳米压印工艺监测方法包括以下步骤：光源向待测物上的PCM模块发射监测激光；其中，所述待测物包括纳米压印模板和/或纳米压印产品；成像模块接收所述PCM模块的反射激光，以获取所述反射激光所形成的反射光斑；以及处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断所述待测物是否合格。本发明专利技术技术方案采用监测激光对PCM模块进行监测，可对待测物进行间接的非接触实时工艺监测，从而在纳米压印量产中提供实时的工艺监测。

【技术实现步骤摘要】
纳米压印工艺监测方法、监测装置及纳米压印设备
本专利技术涉及工艺监测领域，特别涉及一种纳米压印工艺监测方法、监测装置及纳米压印设备。
技术介绍
目前对纳米压印工艺制程的监测多以间接的、针对纳米压印成品的线下监测方法为主，包括应用如光学显微镜，原子力显微镜等无损检测方法对压印成的纳米结构做直接的表面形貌表征；使用电子显微镜对纳米压印产品的表面和切面结构进行解析等。这些方法虽然可以较为精确的反应压印成品的表面形貌，进行详细的工艺分析，却无法在纳米压印量产中提供实时的工艺监测。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提出一种纳米压印工艺监测方法，旨在实现在纳米压印量产中提供实时的工艺监测。为实现上述目的，本专利技术提出一种纳米压印工艺监测方法，所述纳米压印工艺监测方法包括以下步骤：光源向待测物上的PCM模块发射监测激光；其中，所述待测物包括纳米压印模板和/或纳米压印产品；成像模块接收所述PCM模块的反射激光，以获取所述反射激光所形成的反射光斑；以及处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米压印工艺监测方法，其特征在于，所述纳米压印工艺监测方法包括以下步骤：/n光源向待测物上的PCM模块发射监测激光；其中，所述待测物包括纳米压印模板和/或纳米压印产品；/n成像模块接收所述PCM模块的反射激光，以获取所述反射激光所形成的反射光斑；以及/n处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断所述待测物是否合格。/n

【技术特征摘要】
1.一种纳米压印工艺监测方法，其特征在于，所述纳米压印工艺监测方法包括以下步骤：
光源向待测物上的PCM模块发射监测激光；其中，所述待测物包括纳米压印模板和/或纳米压印产品；
成像模块接收所述PCM模块的反射激光，以获取所述反射激光所形成的反射光斑；以及
处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断所述待测物是否合格。


2.如权利要求1所述的纳米压印工艺监测方法，其特征在于，所述成像模块接收所述PCM模块的反射激光，以获取所述反射激光所形成的反射光斑的步骤具体为：
反射镜接收所述PCM模块的反射激光，并将所述反射激光反射至所述成像模块，以供所述成像模块获取所述反射激光所形成的反射光斑。


3.如权利要求1所述的纳米压印工艺监测方法，其特征在于，所述处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断所述待测物是否合格的步骤具体包括：
处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑的位置，并判断所述位置是否偏离预设区域；
若所述位置偏离所述预设区域，则所述处理器判定所述待测物为不合格；
若所述位置未偏离所述预设区域，则所述处理器判定所述待测物为合格；
和/或，
处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑的光强，并判断所述光强是否在预设光强范围内；
若所述光强未在所述预设光强范围内，则所述处理器判定所述待测物为不合格；
若所述光强在所述预设光强范围内，则所述处理器判定所述待测物为合格。


4.如权利要求1所述的纳米压印工艺监测方法，其特征在于，所述PCM模块为纳米光栅。


5.如权利要求4所述的纳米压印工艺监测方法，其特征在于，所述纳米光栅包括闪耀光栅、倾斜光栅、一维光栅、二元光栅、多台阶光栅中的至少一种。


6.如权利要求1至5任一项所述的纳米压印工艺监测方法，其特征在于，在所述处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断待测物是否合格的步骤之后，所述纳米压印工艺监测方法还包括：
当所述处理器判定所述待测物为不合格时，告警模块发出警告。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：臧法珩，赵东峰，李琨，董立超，杜凯凯，艾立夫，王喆，饶轶，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37