一种光刻投影物镜及光刻机制造技术

本发明专利技术实施例提供一种光刻投影物镜及光刻机，所述光刻投影物镜包括沿光轴且由物面指向像面顺次排列的第一透镜组、第二透镜组、第三透镜组和第四透镜组；所述第一透镜组的焦距为f

【技术实现步骤摘要】
一种光刻投影物镜及光刻机
本专利技术实施例涉及光刻技术，尤其涉及一种光刻投影物镜及光刻机。
技术介绍
光学光刻是一种用光将掩模图案投影复制的技术。集成电路就是由投影曝光装置制成的。借助于投影曝光装置，具有不同掩模图案的图形被成像至基底上，如硅片或LCD板，用于制造集成电路、薄膜磁头、液晶显示板，或微机电(MEMS)等一系列结构。过去数十年曝光设备技术水平不断发展，满足了更小线条尺寸，更大曝光面积，更高可靠性及产率，更低成本的需求。现有的光刻投影物镜存在诸如数值孔径较小、分辨率低等问题，曝光视场直径与分辨率存在矛盾，无法在大的曝光视场下实现高的分辨率。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种光刻投影物镜及光刻机，以实现扩大曝光视场的同时还能够实现高的分辨率。第一方面，本专利技术实施例提供一种光刻投影物镜，所述光刻投影物镜包括沿光轴且由物面指向像面顺次排列的第一透镜组、第二透镜组、第三透镜组和第四透镜组；所述第一透镜组的焦距为f1，所述第二透镜组的焦距为f2，所述第三透镜组的焦距为f3，所述第四透镜组的焦距为f4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻投影物镜，其特征在于，所述光刻投影物镜包括沿光轴且由物面指向像面顺次排列的第一透镜组、第二透镜组、第三透镜组和第四透镜组；所述第一透镜组的焦距为f

【技术特征摘要】
1.一种光刻投影物镜，其特征在于，所述光刻投影物镜包括沿光轴且由物面指向像面顺次排列的第一透镜组、第二透镜组、第三透镜组和第四透镜组；所述第一透镜组的焦距为f1，所述第二透镜组的焦距为f2，所述第三透镜组的焦距为f3，所述第四透镜组的焦距为f4，f1、f2、f3和f4满足关系式一或者关系式二；
关系式一为：3.50＜|f1/f2|＜4.50，1.35＜|f2/f3|＜1.75，
0.10＜|f3/f4|＜0.50，1.45＜|f1/f4|＜1.85；
关系式二为：3.20＜|f1/f2|<5.10，0.25＜|f2/f3|＜0.75，
0.01＜|f3/f4|＜0.30，0.05＜|f1/f4|＜0.40。


2.根据权利要求1所述的光刻投影物镜，其特征在于，所述光刻投影物镜包括非球面透镜，且所述非球面透镜的数量小于或者等于4个，一个所述非球面透镜包括一个非球面表面。


3.根据权利要求2所述的光刻投影物镜，其特征在于，所述第一透镜组、所述第二透镜组、所述第三透镜组和所述第四透镜组均包括一个所述非球面透镜。


4.根据权利要求2所述的光刻投影物镜，其特征在于，所述非球面表面设置于所述非球面透镜的凹面上。


5.根据权利要求1所述的光刻投影物镜，其特征在于，所述第一透镜组包括2N个沿光轴方向依次排列的透镜，N为大于或者等于1的正整数；
第i个透镜与第2N+1-i个透镜的光焦度均为正或者均为负，1≤i≤N。


6.根据权利要求1所述的光刻投影物镜，其特征在于，f1、f2、f3和f4满足关系式一；
所述第一透镜组、所述第二透镜组、所述第三透镜组和所述第四透镜组均具有正的光焦度。


7.根据权利要求6所述的光刻投影物镜，其特征在于，所述第一透镜组包括沿光轴顺次排列的第一透镜、第二透镜、第三透镜、第四透镜、第五透镜、第六透镜、第七透镜和第八透镜；所述第一透镜和所述第七透镜为双凸正透镜，所述第二透镜为平凸正透镜，所述第三透镜和所述第六透镜为双凹负透镜，所述第四透镜和所述第五透镜为弯月负透镜，所述第八透镜为弯月正透镜；
所述第二透镜组包括沿光轴顺次排列的第九透镜、第十透镜和第十一透镜，所述第九透镜为双凸正透镜，所述第十透镜为弯月正透镜，所述第十一透镜为双凹负透镜；
所述第三透镜组包括沿光轴顺次排列的第十二透镜、第十三透镜、第十四透镜、第十五透镜、第十六透镜、第十七透镜、第十八透镜、第十九透镜和第二十透镜，所述第十二透镜和所述第二十透镜为双凹负透镜，所述第十三透镜为弯月负透镜，所述第十四透镜、所述第十五透镜、所述第十六透镜、所述第十八透镜和所述第十九透镜为双凸正透镜，所述第十七透镜为平凹负透镜；
所述第四透镜组包括沿光轴顺次排列的第二十一透镜和第二十二透镜，所述第二十...

【专利技术属性】
技术研发人员：安福平，储兆祥，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31