【技术实现步骤摘要】
偏光板、和偏光板的制造方法、束结构的制造方法本申请是申请日为2014年7月11日、申请号为201480039577.1、专利技术名称为偏光板、和偏光板的制造方法、束结构的制造方法的申请的分案申请。
本专利技术涉及吸收正交的偏光成分(所谓P偏振波、S偏振波)的一者、使另一者透射的偏光板和偏光板的制造方法。另外,涉及适合用于偏光板的束结构的制造方法。
技术介绍
液晶显示装置出于其图像形成原理在液晶面板表面配置偏光板是必不可少的。偏光板的功能为吸收正交的偏光成分(所谓P偏振波、S偏振波)的一者、使另一者透射。一直以来,作为这样的偏光板,大多使用在薄膜内含有碘系、染料系的高分子有机物而成的二色性的偏光板。作为它们的一般的制法,使用如下方法:用聚乙烯醇系薄膜和碘等二色性材料进行染色,然后使用交联剂进行交联,进行单轴拉伸。如此,二色性的偏光板通过拉伸而制作,因此一般来说容易收缩。另外,聚乙烯醇系薄膜使用亲水性聚合物,因此,特别是在加湿条件下非常容易变形。另外,根本上使用薄膜,因此作为元件的机械强度弱,有时必须粘接透明保护 ...
【技术保护点】
1.一种偏光板,其具备:/n透光基板,透过工作谱带的光;/n吸收层,形成于所述透光基板;和/n束结构层,形成于所述吸收层上,且由包含半导体的柱状的束构成,/n所述吸收层包含无机微粒,/n所述束结构层的消光系数不为零,/n所述吸收层包含Si、Ge、Ag、Ta、Fe、Al、W、Ti、Nb、Au、Cu中的1种以上,/n所述束结构层是在将x、y、z正交坐标中的xy平面设为基板面时,在xy平面上从相差180°的2个方向交替地倾斜蒸镀无机微粒,从而形成的,/n所述半导体为选自Ge、Te、ZnO、β-FeSi
【技术特征摘要】
20130711 JP 2013-1451071.一种偏光板,其具备:
透光基板,透过工作谱带的光;
吸收层,形成于所述透光基板;和
束结构层,形成于所述吸收层上,且由包含半导体的柱状的束构成,
所述吸收层包含无机微粒,
所述束结构层的消光系数不为零,
所述吸收层包含Si、Ge、Ag、Ta、Fe、Al、W、Ti、Nb、Au、Cu中的1种以上,
所述束结构层是在将x、y、z正交坐标中的xy平面设为基板面时,在xy平面上从相差180°的2个方向交替地倾斜蒸镀无机微粒,从而形成的,
所述半导体为选自Ge、Te、ZnO、β-FeSi2、MgSi2、NiSi2、BaSi2、CrSi2、COSi2、TaSi中的任一种以上。
2.根据权利要求1所述的偏光板,其中,所述吸收层和所述束结构层中的1层以上是以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。
3.根据权利要求1所述的偏光板,其还具备反射层,所述反射层形成于所述束结构层上,且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状。
4.根据权利要求3所述的偏光板,其中,所述吸收层和所述束结构层中的1层以上是以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。
5.根据权利要求3或4所述的偏光板,其还具备:
上部束结构层,配置于所述反射层上,由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成,且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状;和
上部吸收层,配置于所述上部束结构层上,且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:高田昭夫,高桥英司,小池伸幸,佐佐木浩司,
申请(专利权)人:迪睿合株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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