一种巨四方相PbTiO制造技术

本发明专利技术公开了一种巨四方相PbTiO

【技术实现步骤摘要】
一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法
本专利技术属于材料制备
，尤其涉及一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法。
技术介绍
随着信息技术的快速发展，对相关的微电子元器件提出了更苛刻的要求，包括集成化、小型化、多功能和低功耗等，而存储器件是其中最核心和最关键的技术之一，因此，对相关的多功能薄膜材料的开发成为了研究的热点。具有ABO3型钙钛矿结构的钛酸铅(PbTiO3)材料，由于其具有较高的居里温度、大的自发极化强度和独特的负热膨胀性，表现出优异的压电、铁电和热释电等性能而被广泛关注，在非易失性存储、高频率通信和传感器等领域具有很好的应用前景。大量研究表明，铁电材料的性能与材料晶体质量和晶体结构中的轴比(c/a)值密切相关，因为在c/a值大的巨四方相晶体结构中，由于存在大的偶极矩，使得它不仅表现出大的铁电极化性能还具有高的居里温度，这为电子器件的设计和应用提供可靠的价值。目前，具有巨四方相的铁电材料还比较少，并且一般需要通过特殊的条件来获得，比如通过昂贵的高温高压设备、特定的衬底应力作用或元素掺杂等方式。然而高压在实际实验中具有很大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种巨四方相PbTiO

【技术特征摘要】
1.一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，其特征在于，利用脉冲激光沉积系统，在单晶衬底上先制备一层La0.7Sr0.3MnO3缓冲层，再生长PbTiO3薄膜，在动态氧气氛围中沉积后冷却到室温，得到稳定的高质量巨四方相PbTiO3薄膜。


2.如权利要求1所述的一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，其特征在于，所述单晶衬底沿c轴方向；所述单晶衬底与PbTiO3靶材的晶格失配度在-2％到-0.5％之间。


3.如权利要求1所述的一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，其特征在于，所述La0.7Sr0.3MnO3缓冲层的厚度为5.0～40.0nm。


4.如权利要求1所述的一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，其特征在于，所述PbTiO3薄膜的厚度为10.0～100.0nm。


5.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄传威，廖肇龙，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东;44