一种LED高压调光模组制造技术

本实用新型专利技术提供了一种LED高压调光模组，包括保险电阻RF1、整流桥DB1、压敏电阻RV1、整流二极管D1、灯珠组件、恒流芯片U1、采样电阻R1、系统放电电阻R2、功率放电电阻R3、滤波电解电容E1、电容放电电阻R4、去频闪芯片U2、电容C1。本实用新型专利技术的有益效果是：不需要外接驱动电源，安装不需要区分方向，提升了安装效率，降低了成本，并且，降低了频闪指数。

【技术实现步骤摘要】
一种LED高压调光模组
本技术涉及照明装置，尤其涉及一种LED高压调光模组。
技术介绍
现有LED模组需要外接驱动电源，安装需要区分方向，导致安装效率较低，成本较高，并且，频闪问题较严重。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本技术提供了一种LED高压调光模组。本技术提供了一种LED高压调光模组，包括保险电阻RF1、整流桥DB1、压敏电阻RV1、整流二极管D1、灯珠组件、恒流芯片U1、采样电阻R1、系统放电电阻R2、功率放电电阻R3、滤波电解电容E1、电容放电电阻R4、去频闪芯片U2、电容C1，其中，所述保险电阻RF1的一端与交流电火线相接，所述保险电阻RF1的另一端与所述整流桥DB1的引脚1相接；所述整流桥DB1的引脚3接交流电零线，所述压敏电阻RV1的一端连接于所述整流桥DB1引脚1、保险电阻RF1之间，所述压敏电阻RV1的另外一端连接于所述整流桥DB1引脚3、交流电零线之间；所述整流桥DB1的引脚2分别与所述整流二极管D1的阳极、功率放电电阻R3的一端相接，所述功率放电电阻R3的另一端与所述恒流芯片U1的引脚7相接；所述整流二极管D1的阴极分别与所述滤波电解电容E1正极、所述电容放电电阻R4的一端、灯珠组件的阳极相接，所述灯珠组件的阴极与所述去频闪芯片U2的引脚2相接，所述去频闪芯片U2的引脚3分别与所述滤波电解电容E1负极、所述电容放电电阻R4的另一端、所述电容C1的一端及所恒流芯片U1的引脚5相接，所述电容C1的另一端与所述去频闪芯片U2的引脚1相接，所述恒流芯片U1的引脚2与所述系统放电电阻R2一端相接，所述恒流芯片U1的引脚4分别与所述系统放电电阻R2的另一端及所述采样电阻R1的一端相接；所述整流桥DB1的引脚4、所述恒流芯片U1的引脚1、引脚3及所述采样电阻R1的另一端接地，所述去频闪芯片U2的引脚1为VC端口,所述去频闪芯片U2的引脚2为OUT端口，所述去频闪芯片U2的引脚3为GND端口。作为本技术的进一步改进，所述灯珠组件包括串联的LED灯珠。作为本技术的进一步改进，所述恒流芯片U1为高压线性恒流芯片，具有可控硅调光功能，耐压450V，电流范围5mA-60mA。作为本技术的进一步改进，所述滤波电解电容E1为高压低频滤波电解电容，耐压200/400V，其电解电容的容量根据每个支路功率按照1:1设定。作为本技术的进一步改进，所述去频闪芯片U2是一款消除100HZ/120HZLED电流文波的芯片，内置90V功率MOSFET，通过检测OUT端口电压控制VC端口的电容C1的充放电，调整内置功率MOSFET的工作状态，把LED电流纹波转换为OUT端口电压纹波，从而使灯珠组件的电流和电压保持恒定。本技术的有益效果是：不需要外接驱动电源，安装不需要区分方向，提升了安装效率，降低了成本，并且，降低了频闪指数。附图说明图1是本技术一种LED高压调光模组的电路图。具体实施方式下面结合附图说明及具体实施方式对本技术作进一步说明。如图1所示，一种LED高压调光模组，包括保险电阻RF1、整流桥DB1、压敏电阻RV1、整流二极管D1、灯珠组件、恒流芯片U1、采样电阻R1、系统放电电阻R2、功率放电电阻R3、滤波电解电容E1、电容放电电阻R4、去频闪芯片U2、电容C1，其中，灯珠组件优选为串联的灯珠LED1-LEDn，所述保险电阻RF1的一端与交流电火线相接，所述保险电阻RF1的另一端与所述整流桥DB1的引脚1相接；所述整流桥DB1的引脚3接交流电零线，所述压敏电阻RV1的一端连接于所述整流桥DB1引脚1、保险电阻RF1之间，所述压敏电阻RV1的另外一端连接于所述整流桥DB1引脚3、交流电零线之间；所述整流桥DB1的引脚2分别与所述整流二极管D1的阳极、功率放电电阻R3的一端相接，所述功率放电电阻R3的另一端与所述恒流芯片U1的引脚7相接；所述整流二极管D1的阴极分别与所述滤波电解电容E1正极、所述电容放电电阻R4的一端、灯珠LED1的阳极相接，灯珠LEDn的阴极与所述去频闪芯片U2的引脚2相接，所述去频闪芯片U2的引脚3分别与所述滤波电解电容E1负极、所述电容放电电阻R4的另一端、所述电容C1的一端及所恒流芯片U1的引脚5相接，所述电容C1的另一端与所述去频闪芯片U2的引脚1相接，所述恒流芯片U1的引脚2与所述系统放电电阻R2一端相接，所述恒流芯片U1的引脚4分别与所述系统放电电阻R2的另一端及所述采样电阻R1的一端相接；所述整流桥DB1的引脚4、所述恒流芯片U1的引脚1、引脚3及所述采样电阻R1的另一端接地，所述去频闪芯片U2的引脚1为VC端口,所述去频闪芯片U2的引脚2为OUT端口，所述去频闪芯片U2的引脚3为GND端口。如图1所示，整流桥DB1将AC交流电整流成DC的直流电，LED1...LEDn为LED灯珠，通过串联的方式将Uled总电压控制在Uac交流输入电压的0.8到1.2倍之间，当Uled=1Uac时效果达到最优。如图1所示，所述恒流芯片U1为高压线性恒流芯片，具有可控硅调光功能，耐压450V，电流范围5mA-60mA。如图1所示，所述滤波电解电容E1为高压低频滤波电解电容，耐压200/400V，其电解电容的容量根据每个小支路功率大小而定，一般按照1:1设定容量。如图1所示，所述去频闪芯片U2是一款消除100HZ/120HZLED电流文波的芯片，内置90V功率MOSFET，通过检测OUT端口电压控制VC端口的电容C1的充放电，调整内置功率MOSFET的工作状态，把LED电流纹波转换为OUT端口电压纹波，从而使灯珠组件的电流和电压保持恒定。如图1所示，保险电阻RF1和压敏电阻RV1组成的电路能起到抑制线路上的浪涌、瞬时过电压和泄放线路上的过电流等作用，在此是为了防止市电浪涌导致器件电流过大而烧毁，保护整个电路体系和AC-LED芯片稳定工作，延长使用寿命。如图1所示，保险电阻RF1还可提高产品的PF值，提升产品的可控硅调光效果；功率放电电阻R3、恒流芯片U1的7脚、恒流芯片U1的2脚、系统放电电阻R2组成的电路可以通过调节系统放电电阻R2的阻值来改善产品的调光效果；实现市电介入的高压调光模组。本技术提供的一种LED高压调光模组，因采用DOB方案去外置电源，提高了安装效率，节省了人工成本，省去电源即节约了原料成本。本技术提供的一种LED高压调光模组，调光效果非常好，能兼容大部分的TRAIC调光器，保险电阻RF1可抑制浪涌、改善PF值、值提升产品的调光效果，保证方案PF>0.9通过美国Title24标准；频闪指数可以达到小于5%的效果，有效的保护人眼，提高工作效率。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED高压调光模组，其特征在于：包括保险电阻RF1、整流桥DB1、压敏电阻RV1、整流二极管D1、灯珠组件、恒流芯片U1、采样电阻R1、系统放电电阻R2、功率放电电阻R3、滤波电解电容E1、电容放电电阻R4、去频闪芯片 U2、电容C1，其中，所述保险电阻RF1的一端与交流电火线相接，所述保险电阻RF1的另一端与所述整流桥DB1的引脚1相接；所述整流桥DB1的引脚3接交流电零线，所述压敏电阻RV1的一端连接于所述整流桥DB1引脚1、保险电阻RF1之间，所述压敏电阻RV1的另外一端连接于所述整流桥DB1引脚3、交流电零线之间；所述整流桥DB1的引脚2分别与所述整流二极管D1的阳极、功率放电电阻R3的一端相接，所述功率放电电阻R3的另一端与所述恒流芯片U1的引脚7相接；所述整流二极管D1的阴极分别与所述滤波电解电容E1正极、所述电容放电电阻R4的一端、灯珠组件的阳极相接，所述灯珠组件的阴极与所述去频闪芯片 U2的引脚2相接，所述去频闪芯片U2的引脚3分别与所述滤波电解电容E1负极、所述电容放电电阻R4的另一端、所述电容C1的一端及所恒流芯片U1的引脚5相接，所述电容C1的另一端与所述去频闪芯片U2的引脚1相接，所述恒流芯片U1的引脚2与所述系统放电电阻R2一端相接，所述恒流芯片U1的引脚4分别与所述系统放电电阻R2的另一端及所述采样电阻R1的一端相接；所述整流桥DB1的引脚4、所述恒流芯片U1的引脚1、引脚3及所述采样电阻R1的另一端接地，所述去频闪芯片U2的引脚1为VC端口, 所述去频闪芯片U2的引脚2为OUT 端口，所述去频闪芯片U2的引脚3为GND端口。/n...

【技术特征摘要】
1.一种LED高压调光模组，其特征在于：包括保险电阻RF1、整流桥DB1、压敏电阻RV1、整流二极管D1、灯珠组件、恒流芯片U1、采样电阻R1、系统放电电阻R2、功率放电电阻R3、滤波电解电容E1、电容放电电阻R4、去频闪芯片U2、电容C1，其中，所述保险电阻RF1的一端与交流电火线相接，所述保险电阻RF1的另一端与所述整流桥DB1的引脚1相接；所述整流桥DB1的引脚3接交流电零线，所述压敏电阻RV1的一端连接于所述整流桥DB1引脚1、保险电阻RF1之间，所述压敏电阻RV1的另外一端连接于所述整流桥DB1引脚3、交流电零线之间；所述整流桥DB1的引脚2分别与所述整流二极管D1的阳极、功率放电电阻R3的一端相接，所述功率放电电阻R3的另一端与所述恒流芯片U1的引脚7相接；所述整流二极管D1的阴极分别与所述滤波电解电容E1正极、所述电容放电电阻R4的一端、灯珠组件的阳极相接，所述灯珠组件的阴极与所述去频闪芯片U2的引脚2相接，所述去频闪芯片U2的引脚3分别与所述滤波电解电容E1负极、所述电容放电电阻R4的另一端、所述电容C1的一端及所恒流芯片U1的引脚5相接，所述电容C1的另一端与所述去频闪芯片U2的引脚1相接，所述恒流芯片U1的引脚2与所述系统放电电阻R2一端相接，所述恒流芯片U1的引脚4...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄水华，
申请(专利权)人：深圳市国盈光电有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44