器件特性测定系统技术方案

在ＰＲＡＭ等器件的测定中，由于输入的脉冲信号变钝，因此无法精确地测定实际施加到器件上的电压或者流经器件的电流。为解决上述问题，在本发明专利技术中，设置与器件的端子接触的探针和脉冲发生器，并在同轴电缆的中间设置了测定电流用的分流电阻器，通过有源差动探针来检测该分流电阻器两端的电位差，并通过信号波形观测单元来观测与电位差对应的信号，由此来测定流经器件的电流。另外，通过在分流电阻器上并联电容器来改善频率特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及评价相变存储器(以下称为PRAM。另外也称为OUM(Ovonic Unified Memory，奥弗辛斯基电效应统一存储器))等器件特性的测定装置。
技术介绍
PRAM是利用硫化物合金等从非晶态向结晶结构的状态变化来保存信息的存储器，该硫化物合金的电阻根据物质的结晶状态而变化，所述PRAM具有即使切断电源仍能保持数据，并能够存储大容量数据的特点。另外，通过设置在每一存储单元的加热器的加热来执行相变。在对该PRAM进行器件测定时，需要精确求出向器件施加的脉冲波形的电压、电流。有时利用示波器直接从器件测定施加给作为被测对象的PRAM器件的电压和电流(例如，参考非专利文献1、附图4)。图17是将示波器直接连接到器件上时向电路仿真器输入的电路图。在该图中，参考符号200b表示作为被测对象的器件的等效电路，20b表示发生脉冲信号的脉冲发生器的等效电路，500表示用于观测器件200b电压的示波器的等效电路，510表示用于观测器件200b电流的示波器的等效电路，520表示在示波器510的电流观测中使用的分流电阻器(shuntresistor)，100b表示仿真器上的虚拟电流计，7本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件特性测定系统，测定作为被测对象的器件的特性，其特征在于，包括：发生脉冲的脉冲发生器；第一探针，与所述器件的端子电接触；电阻器，用于测定流经所述器件的电流；第一电缆，将所述第一探针的输出端子和所述电阻器 的一端电连接；第二电缆，将所述脉冲发生器的输出和所述电阻器的另一端电连接；第二探针，与所述电阻器的两端电连接，输出与所述电阻器的电位差对应的信号；以及第一信号波形观测单元，观测从所述第二探针输出的信号的波形。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野口伦稔，土生理，
申请(专利权)人：安捷伦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]