磁传感器装置制造方法及图纸

建议了一种磁传感器装置（１），其中布置有对磁场敏感的传感器元件（７，８），这些传感器元件（７，８）的电特性可以根据磁场来改变，该磁场可以通过运动的无源发送器元件（１１）来影响。该磁传感器装置（１）具有在梯度计装置中的两个传感器元件（７，８），这些传感器元件（７，８）分别被分配给被实施为开口磁体（２；２０；２３）的永磁体的、两个以预先给定的间隔（ｓａ）布置的磁区（４，５）之一。区域（４，５）和开口磁体（２；２０；２３）在例如锲形的成型、尺寸（ｈ，ｂ，ｔ）、开口宽度（ｓａ）以及开口深度（ｓｔ）及其相对于传感器元件（７，８）的位置方面如此被布置，使得在梯度计装置中传感器元件（７，８）的输出信号的偏差被最小化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种按照主权利要求的前序部分特征的、尤其是用于检测直线或旋转运动的元件的运动的磁传感器装置。
技术介绍
本身已知的是，对磁场敏感的传感器在许多希望无接触检测运动的领域中得到应用。在此，既可以涉及旋转运动，又可以涉及直线运动。这里应区分两种基本不同的测量原理。一方面，通过将一个或多个磁偶极子作为有源元件安置在要检测的元件上，可以直接通过在传感器位置上的在时间上变化的磁场来确定运动。与此相反地，在由软磁材料构成的无源发送器元件(Geberelement)的情况下由与传感器固定连接的工作磁体生成磁场。传感器测量工作磁体的磁场的由于发送器元件的运动所引起的变化。除了本身已知的用于磁场测量的霍尔技术之外，越来越多地在汽车领域中的无源发送器元件中也替代地采用所谓的XMR技术、即磁阻测量原理。在此应注意，与霍尔传感器相反，XMR传感器检测传感器元件中的磁场的所谓的“面内”分量。迄今，通常的XMR传感器为此采用工作磁体，必须如此来补偿该工作磁体的场，使得在敏感元件的位置处的偏差为零或者生成定义传感器的工作点的所谓的反向偏置场。例如在DE 101 28 135 A1中说明了一种方案，本文档来自技高网...

【技术保护点】
磁传感器装置，具有－对磁场敏感的传感器元件（７，８），这些传感器元件（７，８）的电特性可以根据磁场来改变，可以通过运动的无源发送器元件（１１）来影响所述磁场，其特征在于，－所述磁传感器装置（１）具有在梯度计装置中的两 个传感器元件（７，８），所述传感器元件（７，８）分别被分配给被实施为开口磁体（２）的永磁体的、两个以预先给定的间隔（ｓａ）布置的区域（４，５）之一，－其中磁区（４，５）和开口永磁体（２；２０）在尺寸（ｈ，ｂ，ｔ）、开口宽度（ｓａ）以 及开口深度（ｓｔ）及其相对于所述传感器元件（７，８）的位置方面如此被布置，使得在所述梯度...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：R雷蒂希，C鲍尔，B福格尔格桑，
申请(专利权)人：罗伯特博世有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]