【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种布线不良检查方法以及布线不良检查装置。
技术介绍
如图7中所示,为了检查TFT基板1000的点缺陷及线缺陷,通过使测量探针1003、1004与在TFT基板上形成的漏极布线1001及栅极布线1002的端子部(漏极端子1001A、栅极端子1002A)接触,而使TFT基板1000与未图示的测试器(包括电容检测器及控制装置而构成测试器)连接。在此状态下,从测试器对TFT基板1000施加规定的电压,对在TFT基板1000上形成的像素电容进行电荷的写入、读出。由此,检测出不良位置。这种检测方式称为像素保持电容检测方式。 此外,如图8中所示,在形成像素和晶体管之前(例如,形成栅极布线为止的阶段)的TFT基板2000中,通过利用未图示的电流检测器,对栅极端子1002A上施加规定电压,检测从COM端子1005A流入的电流,来实施栅极布线1002和COM布线1005之间有无短路的检查。尽管在未发生短路的栅极布线1002中不会产生电流流入电流检测器的情况,但在栅极布线-COM布线之间短路产生的线中,由于产生电流流入电流检测器的情况,因此就能够判断出存在短路。 ...
【技术保护点】
一种在具有待检查的多个第1布线和与各上述第1布线分别构成电容的多个第二布线的基板中,检查上述第1布线是否不良的方法,包括: (a)对上述第1布线或上述第2布线施加电压;以及 (b)在进行上述步骤(a)时,检测在上述第1布线和上述第2布线之间构成的电容。
【技术特征摘要】
JP 2006-1-6 2006-0014391.一种在具有待检查的多个第1布线和与各上述第1布线分别构成电容的多个第二布线的基板中,检查上述第1布线是否不良的方法,包括(a)对上述第1布线或上述第2布线施加电压;以及(b)在进行上述步骤(a)时,检测在上述第1布线和上述第2布线之间构成的电容。2.根据权利要求1所述的方法,其中,利用与上述第2布线或上述第1布线电连接的电容检测装置来进行上述步骤(b)。3.根据权利要求2所述的方法,其中,在上述第2布线或上述第1布线和上述电容检测装置之间电连接了电容器的状态下进行上述步骤(b)。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法,其中,上述第1和第2布线大致相互平行地延伸。5.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法,其中,在同层上形成上述第1和第2布线。6.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法,其中,上述第2布线汇集于1个端子。7.一种在具有待检查的多个第1布线和与各上述第1布线分别构成电容的多个第二布线的基板中,检查上...
【专利技术属性】
技术研发人员:鹭山惠,
申请(专利权)人:NEC液晶技术株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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