布线不良检查方法以及布线不良检查装置制造方法及图纸

一种检查装置，检测在形成像素部之前的ＴＦＴ基板中的栅极布线的断线及短路。它是检查ＴＦＴ基板（１）中的栅极布线（２）的不良的检查装置，该ＴＦＴ基板（１）具有作为检查对象的多条栅极布线（２）和在与栅极布线（２）之间可分别构成布线间电容的多条ＣＯＭ布线３。它包括：对栅极布线（１）施加电压的脉冲发生部；检测在栅极布线（２）和ＣＯＭ布线（３）之间的布线间电容的电容检测器（５０）；以及在ＣＯＭ布线（３）和电容检测器（５）之间连接的电容器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种布线不良检查方法以及布线不良检查装置。
技术介绍
如图7中所示，为了检查TFT基板1000的点缺陷及线缺陷，通过使测量探针1003、1004与在TFT基板上形成的漏极布线1001及栅极布线1002的端子部(漏极端子1001A、栅极端子1002A)接触，而使TFT基板1000与未图示的测试器(包括电容检测器及控制装置而构成测试器)连接。在此状态下，从测试器对TFT基板1000施加规定的电压，对在TFT基板1000上形成的像素电容进行电荷的写入、读出。由此，检测出不良位置。这种检测方式称为像素保持电容检测方式。 此外，如图8中所示，在形成像素和晶体管之前(例如，形成栅极布线为止的阶段)的TFT基板2000中，通过利用未图示的电流检测器，对栅极端子1002A上施加规定电压，检测从COM端子1005A流入的电流，来实施栅极布线1002和COM布线1005之间有无短路的检查。尽管在未发生短路的栅极布线1002中不会产生电流流入电流检测器的情况，但在栅极布线-COM布线之间短路产生的线中，由于产生电流流入电流检测器的情况，因此就能够判断出存在短路。 但是，由于在现有的像素保持电容检测方式中，检测TFT基板1000上的像素部1007的保持电容以检测点缺陷·线缺陷，所以就会存在所谓不能够检测在未形成有像素部1007的状态下的栅极布线1002的断线的问题。 鉴于上述问题而提出的现有技术，例如，专利文献1中就进行了公开。 专利文献1的技术是一种通过采用由装载在探针单元中的晶体管及电容构成的栅极线测试用基板及数据线测试用基板就能够检测像素部形成前的有源矩阵基板的线缺陷的技术。 专利文献1 特开2002-40075号公报
技术实现思路
但是，在上述专利文献1的技术中，存在所谓必须采用栅极线测试用基板和数据线测试用基板而检查装置不简便的问题。 为了解决上述问题而提出本专利技术，本专利技术的目的在于，提供一种可更加简便地检测基板上的布线不良的布线不良检查方法及布线不良检查装置。 用于解决课题的方案为了解决上述课题，本专利技术的布线不良检查方法，检查基板中的第1布线的不良，该基板具有作为检查对象的多个上述第1布线和在与上述第1布线之间可分别构成布线间电容的多个第二布线，该检查方法的特征在于，包括对上述第1布线施加电压的第1过程；在进行上述第1过程的同时，检测上述第1布线和上述第2布线之间的布线间电容的第2过程。 在本专利技术的布线不良检查方法中，优选利用与上述第2布线连接的电容检测装置来进行上述第2过程。 在本专利技术的布线不良检查方法中，优选在上述第2布线和上述电容检测装置之间连接电容器的状态下进行上述第2过程。 此外，本专利技术的布线不良检查方法，检查基板中的第1布线的不良，该基板具有作为检查对象的多个上述第1布线和在与上述第1布线之间可分别构成布线间电容的多个第2布线，该检查方法的特征在于，包括对上述第2布线施加电压的第1过程；在进行上述第1过程的同时，检测上述第1布线和上述第2布线之间的布线间电容的第2过程。 在本专利技术的布线不良检查方法中，优选利用与上述第1布线连接的电容检测装置来进行上述第2过程。 在本专利技术的布线不良检查方法中，优选在上述第1布线和上述电容检测装置之间连接电容器的状态下进行上述第2过程。 在本专利技术的布线不良检查方法中，优选相互大致平行地形成上述第1布线和上述第2布线。 在本专利技术的布线不良检查方法中，优选在同层中形成上述第1布线和上述第2布线。 在本专利技术的布线不良检查方法中，优选多个上述第2布线汇集在1个端子。 此外，本专利技术的布线不良检查装置，检查基板中的第1布线的不良，该基板具有作为检查对象的多个上述第1布线和在与上述第1布线之间可分别构成布线间电容的多个第2布线，该检查装置的特征在于，包括对上述第1布线施加电压的电压施加装置；检测在上述第1布线和上述第2布线之间的布线间电容的电容检测装置。 在本专利技术的布线不良检查装置中，优选上述电容检测装置与上述第2布线连接。 在本专利技术的布线不良检查装置中，优选还包括在上述第2布线和上述电容检测装置之间连接的电容器。 在本专利技术的布线不良检查装置中，优选还包括可连接在上述第2布线和上述电容检测装置之间的电容器；以及用于切换通过上述电容器对上述电容检测装置连接上述第2布线的状态和不通过上述电容器对上述电容检测装置连接上述第2布线的状态的开关。 此外，本专利技术的布线不良检查装置，检测基板中的第1布线的不良，该基板具有作为检查对象的多个上述第1布线和在与上述第1布线之间可分别构成布线间电容的多个第2布线，其特征在于，包括对上述第2布线施加电压的电压施加装置；检测上述第1布线和上述第2布线之间的布线间电容的电容检测装置。 在本专利技术的布线不良检查装置中，优选上述电容检测装置与上述第1布线连接。 在本专利技术的布线不良检查装置中，优选还包括在上述第1布线和上述电容检测装置之间连接的电容器。 在本专利技术的布线不良检查装置中，优选还包括可连接在上述第1布线和上述电容检测装置之间的电容器；以及用于切换通过上述电容器对上述电容检测装置连接的状态和不通过上述电容器对上述电容检测装置连接上述第1布线的状态的开关。 在本专利技术的布线不良检查装置中，优选相互大致平行地形成上述第1布线和上述第2布线。 在本专利技术的布线不良检查装置中，优选在同层中形成上述第1布线和上述第2布线。 在本专利技术的布线不良检查装置中，优选多个上述第2布线汇集在1个端子。 专利技术效果根据本专利技术，由于在对第1布线和第2布线施加电压的同时，利用电容检测装置来检测第1布线和第2布线之间的布线间电容，例如，就能够采用简单的装置来更好地检查形成像素部和晶体管之前的TFT基板的栅极布线等中的断线。 此外，在第2布线或第1布线和电容检测装置之间连接电容器的状态下，通过利用电容检测装置检测第1布线和第2布线之间的布线间电容，即使在第1布线的断线和短路同时存在的情况下，使用简单的装置也能够更好地检查断线及短路。附图说明图1是表示形成有栅极布线及COM布线的TFT基板的结构的典型平面图。 图2是表示根据实施方式的检测装置的结构的方框图。 图3是表示形成有栅极布线及COM布线的TFT基板的结构的典型平面图。 图4是在电容检测器中直接连接检测用探针的情况下、横轴表示栅极布线编号、纵轴表示栅极-COM布线间电容曲线的示意图。 图5是在通过散热器将检测用探针连接到电容检测器的情况下、横轴表示栅极布线编号、纵轴表示栅极-COM布线间电容的曲线的图。 图6是表示形成有栅极布线及COM布线的TFT基板的结构的典型平面图。 图7是用于说明现有的断线检查方法的TFT基板的典型平面图。 图8是用于说明现有的短路检查方法的TFT基板的典型平面图。 符号说明1 TFT基板2 栅极布线(第1布线)3 COM布线(第2布线)3A COM端子(端子)10 脉冲产生部(脉冲产生装置)30 开关40 电容器50 电容检测器(电容检测装置)100 检查装置具体实施方式下面，参照附图，说明根据本专利技术的实施方式。 在本实施方式中，说明检测在TFT基板上形成的栅极布线的断线及短路的检查装置及检查方法。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在具有待检查的多个第１布线和与各上述第１布线分别构成电容的多个第二布线的基板中，检查上述第１布线是否不良的方法，包括：　　　　（ａ）对上述第１布线或上述第２布线施加电压；以及　　　　（ｂ）在进行上述步骤（ａ）时，检测在上述第１布线和上述第２布线之间构成的电容。

【技术特征摘要】
JP 2006-1-6 2006-0014391.一种在具有待检查的多个第1布线和与各上述第1布线分别构成电容的多个第二布线的基板中，检查上述第1布线是否不良的方法，包括(a)对上述第1布线或上述第2布线施加电压；以及(b)在进行上述步骤(a)时，检测在上述第1布线和上述第2布线之间构成的电容。2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用与上述第2布线或上述第1布线电连接的电容检测装置来进行上述步骤(b)。3.根据权利要求2所述的方法，其中，在上述第2布线或上述第1布线和上述电容检测装置之间电连接了电容器的状态下进行上述步骤(b)。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其中，上述第1和第2布线大致相互平行地延伸。5.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其中，在同层上形成上述第1和第2布线。6.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其中，上述第2布线汇集于1个端子。7.一种在具有待检查的多个第1布线和与各上述第1布线分别构成电容的多个第二布线的基板中，检查上...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹭山惠，
申请(专利权)人：NEC液晶技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]