【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及测定流过电子设备与电子设备的接合部或电子设备与电路基板的接合部的电流的强度、相位的探测器。
技术介绍
在电子设备等中,为了确定作为无用电磁辐射发生原因的电流的位置,和作为误动作、性能劣化等的原因的电子设备或电子电路间的电磁相互干扰路径,电子设备附近的磁场分布测定技术是有效的。以前的专利技术者们,例如如专利文献1(特开2002-156430),专利文献2(特开2003-279611)所述那样,公开了磁场探测器或测量方法及装置。其中,前者是与磁场探测器有关的技术,后者是与测定方法以及装置有关的技术。一般,为了确定单个电路基板所发射的无用电磁波的发射部位,可以通过测定电路基板附近的磁场分布,来确定成为发射原因的电流的位置。另外,为了确定电子设备壳体所发射的无用电磁波的发射部位,可以通过测定壳体的附近磁场分布,进行和单个基板一样的研究。一般,对于单个基板所发射的无用电磁波的发生源,可以使用附近磁场测定用环形天线来确定位置。此时,激励源是LSI或晶振等元件,作为天线起作用的多是信号或GND的图案,无用电磁辐射的降低应对方法是通过变更电路基板(PCBPrin ...
【技术保护点】
一种安装有基板的壳体的电磁波发生源探查方法,其特征在于:通过测定流过连接有上述基板和上述壳体的多个接合构件的电流来进行探查。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:船戸裕树,须贺卓,
申请(专利权)人:株式会社日立制作所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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