等离子体CVD装置和等离子体CVD法制造方法及图纸

等离子体CVD装置(10)具备：真空槽(21)，其划定存储成膜对象(S)的空间；储藏部(30)，其储藏不含氢的异氰酸酯基硅烷，在储藏部(30)内对异氰酸酯基硅烷进行加热，生成用于供给至真空槽(21)中的异氰酸酯基硅烷气体；配管(11)，其将储藏部(30)与真空槽(21)连接，用于将储藏部(30)生成的异氰酸酯基硅烷气体供给至真空槽(21)；温度调节部(12)，其将配管(11)的温度调节为83℃以上180℃以下；电极(22)，其配置在真空槽(21)内；以及电源(23)，其向电极(22)供给高频电力。在真空槽(21)中，在成膜对象(S)上形成氧化硅膜时，真空槽(21)内的压力为50Pa以上且小于500Pa。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体CVD装置和等离子体CVD法
本专利技术涉及等离子体CVD装置和等离子体CVD法。
技术介绍
作为具备以氧化物半导体作为主成分的半导体层的薄膜晶体管，具备在覆盖栅电极的栅极绝缘体层上形成的半导体层、以及在半导体层上形成的绝缘体层的结构是众所公知的。在由形成于绝缘体层和未被绝缘体层覆盖的半导体层部分的金属层形成源电极和漏电极时，绝缘体层发挥出作为蚀刻阻挡层的功能。这样的绝缘体层例如由氧化硅膜形成(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2012/169397号
技术实现思路
专利技术所要解决的课题另外，氧化硅膜有时使用等离子体CVD法形成。在形成氧化硅膜时，多将硅烷(SiH4)和四乙氧基硅烷(TEOS)中的任一者用作氧化硅膜的原料。这些材料包含氢，因此在半导体层上形成的氧化硅膜也包含氢。氧化硅膜中的氢在氧化硅膜与半导体层的界面处向着半导体层扩散，将半导体层还原，由此使半导体层中产生氧缺损。像这样的半导体层中的氧缺损使包含半导体层的薄膜晶体管的特性变得不稳定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体CVD装置，其具备：/n真空槽，其划定存储成膜对象的空间；/n储藏部，其储藏不含氢的异氰酸酯基硅烷，在所述储藏部内对所述异氰酸酯基硅烷进行加热，生成用于供给至所述真空槽中的异氰酸酯基硅烷气体；/n配管，其将所述储藏部与所述真空槽连接，用于将所述储藏部生成的所述异氰酸酯基硅烷气体供给至所述真空槽；/n温度调节部，其将所述配管的温度调节为83℃以上180℃以下；/n电极，其配置在所述真空槽内；以及/n电源，其向所述电极供给高频电力，/n在所述真空槽中，在所述成膜对象上形成氧化硅膜时，所述真空槽内的压力为50Pa以上且小于500Pa。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190225 JP 2019-0316201.一种等离子体CVD装置，其具备：
真空槽，其划定存储成膜对象的空间；
储藏部，其储藏不含氢的异氰酸酯基硅烷，在所述储藏部内对所述异氰酸酯基硅烷进行加热，生成用于供给至所述真空槽中的异氰酸酯基硅烷气体；
配管，其将所述储藏部与所述真空槽连接，用于将所述储藏部生成的所述异氰酸酯基硅烷气体供给至所述真空槽；
温度调节部，其将所述配管的温度调节为83℃以上180℃以下；
电极，其配置在所述真空槽内；以及
电源，其向所述电极供给高频电力，
在所述真空槽中，在所述成膜对象上形成氧化硅膜时，所述真空槽内的压力为50Pa以上且小于500Pa。


2.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，
所述真空槽进一步具备供给含氧气体的含氧气体供给部，
所述含氧气体为氧气，
所述异氰酸酯基硅烷为四异氰酸酯基硅烷，
所述储藏部以第1流量向所述配管供给四异...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林忠正，座间秀昭，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP