光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂的制造方法、光致抗蚀剂用树脂组合物、以及图案形成方法技术

本发明专利技术提供相对于溶剂的溶解性高的光致抗蚀剂用树脂及其制造方法。并提供含有上述光致抗蚀剂用树脂的光致抗蚀剂用树脂组合物、及使用了该光致抗蚀剂用树脂组合物的图案形成方法。上述光致抗蚀剂用树脂在树脂末端不包含氰基，并且分子量分布(Mw/Mn)为1.4以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂的制造方法、光致抗蚀剂用树脂组合物、以及图案形成方法
本专利技术涉及用于半导体的微细加工等的光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂的制造方法、含有该光致抗蚀剂用树脂的光致抗蚀剂用树脂组合物、及使用了该光致抗蚀剂用树脂组合物的图案形成方法。本申请主张在2018年3月19日向日本提出申请的日本特愿2018-051755号的优先权，并将其内容援引于此。
技术介绍
作为(甲基)丙烯酸酯聚合物的制造方法，通常可采用使用单体((甲基)丙烯酸酯))、自由基聚合引发剂、及根据需要的链转移剂的自由基聚合法。作为这样的聚合法，已知有例如下述的滴加聚合法(专利文献1及2)。[1]将单体预加热后进行滴加的方法[2]将单体滴加至保持于一定温度的聚合溶剂中的方法现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-269855号公报专利文献2：日本特开2004-355023号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而，在进行了上述的自由基聚合的情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光致抗蚀剂用树脂，其在树脂末端不包含氰基，并且分子量分布(Mw/Mn)为1.4以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180319 JP 2018-0517551.一种光致抗蚀剂用树脂，其在树脂末端不包含氰基，并且分子量分布(Mw/Mn)为1.4以下。


2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂用树脂，其中，
树脂末端的取代基为烷基、芳基、羧基、氨基、具有酯键的基团、具有醚键的基团、具有硫醚键的基团、或具有酰胺键的基团。


3.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂用树脂，其包含选自下述式(a1)～(a4)表示的聚合单元中的至少1种聚合单元，



式(a1)～(a4)中，
R表示氢原子、卤原子、或任选具有卤原子的碳原子数1～6的烷基，
A表示单键或连结基团，
R2～R4相同或不同，表示任选具有取代基的碳原子数1～6的烷基，其中，R2及R3任选相互键合而形成环，
R5、R6相同或不同，表示氢原子或任选具有取代基的碳原子数1～6的烷基，
R7表示-COORc基，所述Rc表示任选具有取代基的叔烃基、四氢呋喃基、四氢吡喃基、或氧杂环庚基，
n表示1～3的整数，
Ra是键合于环Z1的取代基，相同或不同，表示氧代基、烷基、任选被保护基团保护的羟基、任选被保护基团保护的羟烷基、或任选被保护基团保护的羧基，
p表示0～3的整数，
环Z1表示碳原子数3～20的脂环式烃环。


4.根据权利要求3所述的光致抗蚀剂用树脂，其还包含选自下述式(b1)～(b5)表示的聚合单元中的至少1种聚合单元，



式(b1)～(b5)中，
R表示氢原子、卤原子、或任选具有卤原子的碳原子数1～6的烷基，
A表示单键或连结基团，
X表示未键合、亚甲基...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤昭德，江口明良，
申请(专利权)人：株式会社大赛璐，
类型：发明
国别省市：日本;JP