六氟化钼的制造方法和制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有效地制造高纯度六氟化钼的方法及用于实施该方法的反应装置。一种六氟化钼的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：在包含处于反应器内部且从反应器的上游侧延伸至下游侧的用于载置金属钼的固定床、设置于反应器上游侧的氟(F

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】六氟化钼的制造方法和制造装置
本专利技术涉及有效地制造高纯度六氟化钼的方法及用于实施该方法的反应装置。
技术介绍
六氟化钼作为承担半导体设备的高集成化/高速化、低电力化等的低电阻且高熔点的布线材料的原料而备受期待。六氟化钼通常利用使钼的单质金属与氟(F2)气接触的方法来制造。氟(F2)气的毒性高，未反应的氟(F2)气需要除害处理，因此在制造六氟化钼时，需要有效地使用与单质金属的原料量相符的规定量的氟(F2)气。作为钼的氟化物，自单氟化物(MoF)起至六氟化物(MoF6)为止，以氟原子的数量一个一个增加的形式而存在。上述制法中，为了安全地处理氟(F2)气而不应该使氟(F2)气过量地发生反应。为此，存在产物中以杂质的形式混入未反应的单质金属和一氟化物～五氟化物的中间体的问题。这种杂质不仅导致六氟化物制品的纯度降低，还会沉积至反应装置内部而引起反应体系的堵塞、反应装置的养护问题。五氟化钼(最终中间体)和六氟化钼(产物)的沸点在常压下分别为214℃和35℃，因此，通过在反应器出口设置冷凝器，能够利用沸点的差异而以六氟化钼的高纯度气体的形式从反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种六氟化钼的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：/n在包含处于反应器内部且从反应器的上游侧延伸至下游侧的用于载置金属钼的固定床、设置于反应器上游侧的氟(F

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180330 JP 2018-0692321.一种六氟化钼的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：
在包含处于反应器内部且从反应器的上游侧延伸至下游侧的用于载置金属钼的固定床、设置于反应器上游侧的氟(F2)气导入口、设置于反应器下游侧的反应产物气体排出口的六氟化钼制造装置中，使金属钼与氟(F2)气接触，使载置金属钼的固定床发生倾斜。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述固定床的倾斜角度为0.1～20°。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，将反应器内的温度设定为50～700℃。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，使氟(F2)气从所述固定床的倾斜面的上方流入反应器内。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其中，通过使包含未反应的氟(F2)气和六氟化钼气体的反应产物的气体通过设置于反应产物气体排出口的冷凝器，从而从反应产物的气体中分离六氟化钼和氟(F2)气。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，冷凝器的温度为3...

【专利技术属性】
技术研发人员：澁泽幸伸，滝泽浩树，河原研次，埴谷大地，
申请(专利权)人：关东电化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP