一种锗化硅E类功率放大器制造技术

本申请公开了一种锗化硅E类功率放大器，属于集成电路技术领域。本申请的锗化硅E类功率放大器包括：输入匹配模块，其将输入的恒包络调制信号进行耦合后输出；第一级放大电路，其将耦合后的信号进行第一级放大后输出，其中第一级为AB类工作状态；第二级放大电路，其将第一级放大后的功率信号进行第二级放大后输出，其中第二级为E类工作状态；整形网络模块，其单端输出端作为E类功率放大器的输出端，整形网络模块将第二级放大后的功率信号进行谐波滤除，输出单端功率信号。本申请的锗化硅E类功率放大器采用通过简单的电路结构实现对输入信号的二级放大，具有高功率效率、低谐波失真、结构简单、工作速度快、功耗低的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种锗化硅E类功率放大器
本申请涉及集成电路
，特别涉及一种锗化硅E类功率放大器。
技术介绍
随着射频集成电路技术的迅速发展，无线通信日益普及，C晶体工艺的集成单芯片射频收发机已经有很多应用，但是全集成C晶体功率放大器仍然是一个挑战。功率放大器简称功放，其作用主要是将输入的较微弱信号进行放大后，输出足够大的功率去推动负载。功率放大器需要输出比较大的功率，在整个射频系统中消耗90%以上的功耗，因此功率放大器的效率非常关键。传统CMOS功率放大器有击穿电压低，输出功率低，效率差的缺点。如图1为常见的CMOS功率放大器，功率放大器采用A类结构，不管是否有输入信号，晶体管都消耗电流。并且CMOS晶体管击穿电压通常为1.2V或者3.3V，因此较难获得高效率的输出功率。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述技术问题，本申请提供了一种锗化硅E类功率放大器。在本申请的一个技术方案中，提供一种锗化硅E类功率放大器，其包括：输入匹配模块，其两个输入端作为E类功率放大器的两个输入端，输入匹配模块将输入的恒包络调制信号进行耦本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锗化硅E类功率放大器，其特征在于，包括：/n输入匹配模块，其两个输入端作为所述E类功率放大器的两个输入端，所述输入匹配模块将输入的恒包络调制信号进行耦合后输出；/n第一级放大电路，其两个输入端连接所述输入匹配模块的两个输出端，所述第一级放大电路将耦合后的信号进行第一级放大后输出，其中第一级为AB类工作状态；/n第二级放大电路，其两个输入端连接所述第一级放大电路的两个输出端，所述第二级放大电路将第一级放大后的功率信号进行第二级放大后输出，其中第二级为E类工作状态；/n整形网络模块，其两个输入端连接所述第二级放大电路的两个输出端，所述整形网络模块的单端输出端作为所述E类功率放大器的输出端，...

【技术特征摘要】
1.一种锗化硅E类功率放大器，其特征在于，包括：
输入匹配模块，其两个输入端作为所述E类功率放大器的两个输入端，所述输入匹配模块将输入的恒包络调制信号进行耦合后输出；
第一级放大电路，其两个输入端连接所述输入匹配模块的两个输出端，所述第一级放大电路将耦合后的信号进行第一级放大后输出，其中第一级为AB类工作状态；
第二级放大电路，其两个输入端连接所述第一级放大电路的两个输出端，所述第二级放大电路将第一级放大后的功率信号进行第二级放大后输出，其中第二级为E类工作状态；
整形网络模块，其两个输入端连接所述第二级放大电路的两个输出端，所述整形网络模块的单端输出端作为所述E类功率放大器的输出端，所述整形网络模块将第二级放大后的功率信号进行谐波滤除，输出单端功率信号。


2.根据权利要求1所述的锗化硅E类功率放大器，其特征在于，所述输入匹配模块包括第一变压器。


3.根据权利要求2所述的锗化硅E类功率放大器，其特征在于，所述第一变压器包括圈数比为1：1的初级绕组和次级绕组。


4.根据权利要求1所述的锗化硅E类功率放大器，其特征在于，所述第一级放大电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第二变压器和第一电容；其中，
所述第一晶体管的基极和第四晶体管的基极作为所述第一级放大电路的两个输入端；
所述第一晶体管的发射极、所述第二晶体管的发射极、所述第三晶体管的发射极和所述第四晶体管的发射极接地；
所述第二变压器的一个输入端连接所述第一晶体管的集电极、所述第二晶体管的集电极和所述第三晶体管的基极，所述第二变压器的另一个输入端连接所述所述第四晶体管的集电极、所述第三晶体管的集电极和所述第二晶体管的基极，所述第二变压器的两个输出端分别连接所述第一电容的两端，并作为所述第一级放大电路的输出端。


5.根据权利要求4所述的锗化硅E类功...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏杰，韩标，徐祎喆，朱勇，
申请(专利权)人：北京百瑞互联技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11