磁控溅射装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种磁控溅射装置，包括腔体，腔体的外部设有：处理器，用于在磁控溅射的过程中获取靶材的消耗信息，并根据消耗信息确定对磁场进行补偿的补偿信息；次生磁场源，与磁体相对设置且与处理器电性连接，用于根据补偿信息产生对应的次生磁场以对磁场进行补偿。本发明专利技术提供的磁控溅射装置，通过在腔体的外部设置处理器和次生磁场源，利用处理器获取靶材在磁控溅射过程中的消耗信息并根据消耗信息确定对磁体所产生的不均匀磁场进行补偿的补偿信息，然后控制次生磁场源根据补偿信息产生对应的次生磁场，通过次生磁场对磁体所产生的不均匀磁场进行补偿，从而提高靶材的利用率和基片上所成膜层的均匀性。本发明专利技术还提供一种磁控溅射方法。

【技术实现步骤摘要】
磁控溅射装置及方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种磁控溅射装置及方法。
技术介绍
目前，显示面板行业大多使用磁控溅射法进行金属成膜。磁控溅射指的是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，使其电离出氩正离子和新电子，氩正离子在电场的作用下加速飞向阴极靶材，并以高能量轰击靶材表面，使靶材发生溅射，并使溅射出的中性靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜的过程。但是，由于磁控溅射的过程中磁场分布不均匀，会使靶材局部消耗相对较快，进而使靶材的利用率大大降低，同时，靶材局部消耗相对较快会使基片上形成的薄膜不均匀。
技术实现思路
因此，有必要提供一种磁控溅射装置及方法，用以解决现有的磁控溅射装置进行磁控溅射导致靶材的利用率低以及基片上形成的薄膜不均匀的技术问题。第一方面，本专利技术实施例提供一种磁控溅射装置，包括腔体，所述腔体的内部设有靶材承载板，所述靶材承载板用于承载靶材，所述腔体的外部设有磁体，所述磁体与所述靶材承载板相对设置，用于在磁控溅射的过程中进行往复运动以使所述腔体的内部产生磁场，所述腔体的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁控溅射装置，包括腔体，所述腔体的内部设有靶材承载板，所述靶材承载板用于承载靶材，所述腔体的外部设有磁体，所述磁体与所述靶材承载板相对设置，用于在磁控溅射的过程中进行往复运动以使所述腔体的内部产生磁场，其特征在于，所述腔体的外部还设有：/n处理器，用于在磁控溅射的过程中获取所述靶材的消耗信息，并根据所述消耗信息确定对所述磁场进行补偿的补偿信息；/n次生磁场源，与所述磁体相对设置且与所述处理器电性连接，用于根据所述补偿信息产生对应的次生磁场以对所述磁场进行补偿。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射装置，包括腔体，所述腔体的内部设有靶材承载板，所述靶材承载板用于承载靶材，所述腔体的外部设有磁体，所述磁体与所述靶材承载板相对设置，用于在磁控溅射的过程中进行往复运动以使所述腔体的内部产生磁场，其特征在于，所述腔体的外部还设有：
处理器，用于在磁控溅射的过程中获取所述靶材的消耗信息，并根据所述消耗信息确定对所述磁场进行补偿的补偿信息；
次生磁场源，与所述磁体相对设置且与所述处理器电性连接，用于根据所述补偿信息产生对应的次生磁场以对所述磁场进行补偿。


2.如权利要求1所述的磁控溅射装置，其特征在于，所述次生磁场源包括若干电磁感应单元，所述补偿信息包括对应于每一所述电磁感应单元的补偿电流值，每一所述电磁感应单元用于根据对应的所述补偿电流值产生对应的所述次生磁场以对所述磁场进行补偿。


3.如权利要求2所述的磁控溅射装置，其特征在于，所述靶材承载板竖直设置，所述磁体远离所述靶材承载板的表面划分为三个区域，三个所述区域从上到下依次为顶部区域、中间区域和底部区域；
所有所述电磁感应单元划分为两组，两组所述电磁感应单元分别设于所述顶部区域和所述底部区域；或者，
所有所述电磁感应单元均设于所述中间区域。


4.如权利要求3所述的磁控溅射装置，其特征在于，所述电磁感应单元包括电源子单元和线圈结构，所述线圈结构包括导体和缠绕于所述导体周侧的线圈；其中，
所述电源子单元分别与所述处理器和所述线圈连接，用于根据对应的所述补偿电流值产生对应的电流，并输入至所述线圈中，以使所述线圈结构产生对应的所述次生磁场。


5.如权利要求3所述的磁控溅射...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小童，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44