具有氟化的共聚物作为表面处理的多孔膜制造技术

公开了多孔膜，其包括多孔载体和涂层，该涂层包含具有单体单元A和B以及任选的单体单元C的共聚物，其中，A为不同于四氟乙烯的卤化的乙烯基单体，卤化的烷基乙烯基醚，或式C

【技术实现步骤摘要】
具有氟化的共聚物作为表面处理的多孔膜
技术介绍
含氟聚合物膜，例如多孔PTFE膜的性质，包括它们的机械强度、耐化学性或惰性、非粘性、优异的介电性质、在高的温度的热稳定性和低摩擦系数，使得它们对于许多应用而言非常具有吸引力。然而，对于某些应用将会有益的是，将PTFE的表面改性而不影响其固有性质。已经做出努力来改变PTFE膜的表面和化学性质，从而改进该膜对特定应用的适用性。例如，已做出的努力包括表面涂布，共混，高能表面改性，例如宽谱带紫外线辐射(BBUV)，其中将膜暴露至波长250-450nm的UV辐射，和等离子体处理，自由基，和臭氧蚀刻，原子层沉积以及合成改性类PTFE聚合物。然而，当暴露至极其腐蚀性的流体，如热硫酸(如微电子学中遇到的那些)或氧化性流体时，大多数这些努力都无法获得令人满意的膜性质。上述表明存在对耐腐蚀性或氧化性流体的多孔含氟聚合物膜的未满足的需求。
技术实现思路
本专利技术提供了多孔膜，其包括多孔的氟化的聚合物载体和涂层，所述涂层包含第一共聚物，该第一共聚物包含聚合的单体单元A和B，和任选的聚合的单体单元C；其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.多孔膜，其包括多孔的氟化的聚合物载体和涂层，所述涂层包含第一共聚物，/n所述第一共聚物包含聚合的单体单元A和B以及任选的聚合的单体单元C；其中：/nA为不同于四氟乙烯的卤化的乙烯基单体，卤化的烷基乙烯基醚，或式C

【技术特征摘要】
20190509 US 16/407,8721.多孔膜，其包括多孔的氟化的聚合物载体和涂层，所述涂层包含第一共聚物，
所述第一共聚物包含聚合的单体单元A和B以及任选的聚合的单体单元C；其中：
A为不同于四氟乙烯的卤化的乙烯基单体，卤化的烷基乙烯基醚，或式CnH2n的烯烃，其中n为1-6；
B为全氟(烷基乙烯基)醚化合物、全氟烷基乙烯基化合物或全氟烷氧基烷基乙烯基醚化合物，所述化合物的每个具有一个或更多个磺酸基团或其盐、一个或更多个磺酰氟基团、一个或更多个磺酰胺基团或一个或更多个磺酸酯基团；和
C为偏氟乙烯；和如果C存在的话，其以在A、B和C之和的最多约30mol％的范围存在；和
所述第一共聚物具有按每个磺酸基团或其盐、磺酰氟基团、磺酰胺基团或磺酸酯基团计约1200至约3000的当量重量。


2.根据权利要求1所述的多孔膜，其中，A选自氯三氟乙烯、溴三氟乙烯、六氟丙烯、三氟乙烯、H2C＝CHCF3、H2C＝CFCF3、CHF＝CHCF3、H2C＝CFCl、H2C＝CFBr、CF2＝CFOCF3、CF2＝CFOC3F7、CF2＝CFOC2H4C6F13、CH2＝CHOC2H4C6F13、CF2＝CFOC2H4Br、乙烯、丙烯及其任意组合。


3.根据权利要求1或2所述的多孔膜，其中，A为氯三氟乙烯。


4.根据权利要求1-3任一项所述的多孔膜，其中，B选自CF2＝CFOCF2CF(CF3)OC2F4SO2F、CF2＝CFOCF2CF(CF3)OC2F4SO3H、CF2＝CFOC2F4SO2F、CF2＝CFOC2F4SO3H、CF2＝CFC2F4SO2F、CF2＝CFC2F4SO3H、CF2＝CFOC4F8SO2F、CF2＝CFOC4F8SO3H及其任意组合。


5.根据权利要求1-4任一项所述的多孔膜，其中，B为CF2＝CFOCF2CF(CF3)OC2F4SO3H。


6.根据权利要求1所述的多孔膜，其中，所述第一共聚物由此产生：包含聚合的单体单元A和B’以及任选的聚合的单体单元C的第二共聚物，
其中，B’为全氟(烷基乙烯基)醚化合物、全氟烷基乙烯基化合物或全氟烷氧基烷基乙烯基醚化合物，每个化合物具有一个或更多个磺酰氟基团或磺酸酯基团，

【专利技术属性】
技术研发人员：J·A·贝尔莫特，B·阿米杜瑞，H·埃特哈德杜，G·洛佩兹，
申请(专利权)人：帕尔公司，国家科研中心，
类型：发明
国别省市：美国;US