低涡流真空容器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及低涡流真空容器及其制造方法。一种真空容器组件（７０）包括由在内部基本不产生涡流的材料形成的内圆筒（７４）和外圆筒（７２）。该内圆筒（７４）包括第一半部（７８）和第二半部（８０），在这两个半部上具有环形凸缘（７６）。多个金属接口（８２，８４，８６）连接到内圆筒（７４）和外圆筒（７２）。该多个金属接口（８２，８４，８６）使内圆筒（７４）的第一半部（７８）和第二半部（８０）结合，并且使内圆筒（７４）和外圆筒（７２）结合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术基本上涉及一种磁共振成像(MRI)系统并且尤其涉及一种 用于在MRI系统中封闭超导磁体的低涡流真空容器和一种制造该真空 容器的方法.
技术介绍
MRI系统使用超导磁体来产生强的均匀磁场，在该磁场中放置患者 或者其它对象.随后，磁梯度线围以及射频发射和接收线围影响对象 中的旋磁物质，以便激发用于形成有用图像的信号。使用这种线團的 其它系统包括光详系统、磁能量存储系统和超导发生器，在和MRI —起使用时，超导磁体布置在使该磁体在运行期间和环 境隔离的真空容器中.超导磁体还具有线圏支持结构以在用于冷却的 冷却物质和氦容器中支撑线團。氦容器是位于真空容器中的压力容 器，用于热隔离，并且通常包括液态氦以便冷却超导磁体，从而保持 大约4.2 Kelvin的温度用于超导运行.在MRI系统中的真空容器通常是由在组装磁体期间焊接在一起的 多个部件制成，以便形成压力边界，该MRI磁体的真空容器的功能是 提供可靠的压力边界以维持适合的真空操作。本领域中公知的真空容 器通常由例如不锈钢、碳钢和铝的金属制成。尽管金属真空容器对于 抗真空压力是足够强的，但是当它们暴露于AC场(例如由MR系统的 梯度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁共振成像（ＭＲＩ）系统（１０），包括：　　　　用于产生磁场的至少一个磁体（５４）；　　　　　至少一个梯度线圈（５０），用于借助梯度场操纵由所述至少一个磁体（５４）产生的磁场；和　　　　遮蔽该至少一个磁体（５４）的真空容器（７０），其中该真空容器（７０）进一步包括：　　　　非金属材料制成的内圆筒（７４），在该至少一个梯度线圈（５０）运行期间在该非金属材料中涡流显著减少，其中该内圆筒（７４）包括形成有环形凸缘（７６）的第一半部（７８）和第二半部（８０）；和　　　　非金属材料制成的外圆筒（７２），在该至少一个梯度线圈（５０）运行期间在该非金属材料中涡流显著减少。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：X黄，PS汤普逊，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]