【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及磁场传感器。
技术介绍
磁场传感器通常容许直接探测磁场性质。已知多种类型的磁场传感器。Hall传感器基于Hall效应并且经由垂直于电流建立的电压测 量磁场强度。另一种传感器基于磁阻，例如，巨磁电阻(GMR)、超 巨磁电阻(CMR)或隧道磁阻(TMR)。这些是量子效应，其中电子 迁移率受外部磁场的影响。其它传感器基于在磁场中改变它们的光学 性质的材料。也能够使用振荡电路的振荡频率由外部磁场改变的事实 测量磁场性质。基于簧片开关的传感器也是众所都知的。技术问题本专利技术的目的是提供不同的磁场传感器。该目的通过如权利要求 1中所述的磁场传感器实现。
技术实现思路
一种磁场传感器，包括第一和第二载体箔以及设置于它们之间的 间隔。所述间隔划定所述传感器的感测区的界限，在所述感测区能将 所述第一和第二载体箔克服它们的弹性接合到一起。至少两个电极被 设置在所述感测区，以使得当将所述第一和第二载体箔接合到一起时 在所述两个电极之间提供电接触。所述磁场传感器还包括与所述第一 或所述第二载体箔相关的附加的可磁化层，以便能够响应磁场将所述 第一和第二载体箔接合到一起。能...
【技术保护点】
一种磁场传感器，包括：第一载体箔和第二载体箔；在所述第一和第二载体箔之间的间隔，所述间隔划定第一感测区域的界限，在所述第一感测区域能够克服所述载体箔的弹性将所述第一和第二载体箔接合到一起；至少两个电极，该至少两个电极被设置在所述第一感测区，以使得当在所述第一感测区将所述第一和第二载体箔接合到一起时在所述电极之间提供电接触；附加的第一可磁化层，所述附加的第一可磁化层与所述第一感测区中的所述第一或所述第二载体箔相关，从而能够响应于磁场而将所述第一和第二载体箔接合到一起。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：P约纳斯，
申请(专利权)人：IEE国际电子工程股份公司，
类型：发明
国别省市：LU[卢森堡]
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