一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路，包括U线上桥驱动电路、U线下桥驱动电路和电机，所述U线上桥驱动电路包括电容CD11，电容CD11的一端通过二极管D1连接有15V电源，另一端接在电机相线上；所述U线下桥驱动电路包括NPN晶体管Q12和PNP晶体管Q24，所述NPN晶体管Q12的集电极与PNP晶体管Q24的基极连接，所述NPN晶体管Q12的集电极通过电阻R135连接15V电源，NPN晶体管Q12的发射极通过电阻R141接通有U相驱动信号。本实用新型专利技术，使用N沟道的MOS管代替P沟道的MOS管，节省了企业的成本，而且通过设置电容CD11和N‑MOS管V1电机绕组实现快速充电，为下个周期做准备。

【技术实现步骤摘要】
一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路
本技术涉及电机驱动
，具体为一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路。
技术介绍
在电机的驱动电路中，上桥的驱动电路比下桥复杂，如果要简单一点的话，上桥的功率管直接用P沟道的MOS管来做就可以，但是P沟道MOS管很难买，而且贵，成本比较高。为了节省成本只能用N沟道的MOS管代替，但是N沟道的MOS管导通的条件是栅极要比源极高出10V才能完全导通，这样在上桥V1导通时，栅极电压要高于源极电压，比如电源电压48V，那么栅极电压就要58V以上才能导通。要获得比电源电压还要高的电压，一般要使用变压器耦合驱动信号，电荷泵升压提供高压，变压器耦合电路由变压器和其他电子元器件构成，结构复杂，电路庞大。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路，以解决上述
技术介绍
中提出P沟道MOS管很难买，成本高的问题。为解决上述技术问题，本技术提供如下技术方案：一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路，包括U线上桥驱动电路、U线下桥驱动电路和电机，所述U线上桥驱动电路包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路，包括U线上桥驱动电路、U线下桥驱动电路和电机，其特征在于：所述U线上桥驱动电路包括电容CD11，电容CD11的一端通过二极管D1连接有15V电源，另一端接在电机相线上，所述二极管D1的负极连接有电阻R101，所述电阻R101的另一端接在电机的相线上，所述二极管D1的负极通过电阻R134连接有NPN晶体管Q11，所述NPN晶体管Q11的发射极通过电阻R70连接有U相驱动信号，NPN晶体管Q11的基极通过电阻R140连接有供电端VDDA，所述二极管D1的负极连接有PNP晶体管Q20，所述PNP晶体管Q20基极与NPN晶体管Q11的集电极连接，PNP晶体...

【技术特征摘要】
1.一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路，包括U线上桥驱动电路、U线下桥驱动电路和电机，其特征在于：所述U线上桥驱动电路包括电容CD11，电容CD11的一端通过二极管D1连接有15V电源，另一端接在电机相线上，所述二极管D1的负极连接有电阻R101，所述电阻R101的另一端接在电机的相线上，所述二极管D1的负极通过电阻R134连接有NPN晶体管Q11，所述NPN晶体管Q11的发射极通过电阻R70连接有U相驱动信号，NPN晶体管Q11的基极通过电阻R140连接有供电端VDDA，所述二极管D1的负极连接有PNP晶体管Q20，所述PNP晶体管Q20基极与NPN晶体管Q11的集电极连接，PNP晶体管Q20的集电极通过电阻R128连接在电机相线上且PNP晶体管Q20的集电极连接有PNP晶体管Q21和二极管D7；所述二极管D7的负极通过电阻R122与PNP晶体管Q21的发射极连接，PNP晶体管Q21的集电极接在电机相线上；所述电阻R122的一端分别通过电容C33、电阻R110和电阻R1112连接电机相线、N-MOS管V1和N-MOS管V2；所述N-MOS管V1和N-MOS管V2的漏极均连接电容CD，所述N-MOS管V1和N-MOS管V2的源极均与电机相线连接，电容CD11的另一端、电阻R101的另一端、电阻R128的另一端、PNP晶体管Q21的集电极接和电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴珏，
申请(专利权)人：中科芯集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32