霍尔效应电路的温度补偿方法及其电路技术

一种霍尔效应电路的温度补偿方法及其电路，是将与霍尔迁移率的温度系数变化成正比关系相互跟随的正温度系数电压调节器作为霍尔效应电路的偏置电压。电路中包括电源保护器、内部电路电源、霍尔电压生成单元、霍尔电压放大单元、施密特触发器、输出驱动器，一正温度系数温度电压调节器连接在内部电路电源，用于给其他电路单元供电。本发明专利技术中霍尔迁移率随着温度的变化关系就会和电压调节器的随温度变化的变化关系相互跟随，从而使得霍尔灵敏度在较宽的温度范围内随温度的变化很小，也就得霍尔传感器电路可以工作在高温的状态。本发明专利技术能够在使用较少的元器件同时，满足霍尔效应电路温度范围工作的性能要求。

【技术实现步骤摘要】
霍尔效应电路的温度补偿方法及其电路
本专利技术涉及霍尔效应电路，特别是霍尔效应电路中的一种的温度 补偿方法及其电路。
技术介绍
在一块定向(X,Y，Z)的半导体薄片上，如果沿X轴方向通电， 在和片子表面垂直的Y轴方向加上磁场B，则在薄片的Z轴横向两 侧会出现一个电压，这种现象就是霍尔效应，是由科学家爱德文-霍 尔在1879年发现的。以此为基础的霍尔传感器已发展成一个品种多 样的磁传感器产品家族，被越来越多地应用于工业控制的各个领域。常规的霍尔效应开关电路如图1所示，它由电池接反保护100、 电压调节器(内部电路的电源)101、霍尔薄片(霍尔电压生成单元) 102、放大器(霍尔电压放大单元)103、施密特触发器(开关信号产 生单元)104和输出驱动105组成。常规设计中，电压调节器100设 计成不随外加电源电压变化、不随温度变化的参考电压(偏置电压， 下同)，例如2.5V。众所周知，霍尔系数1^=/^，由于半导体材料 的电阻率户和迁移率戶都是温度的函数且温度系数争支大，因此产生霍 尔电压的半导体材料(例如硅)的电阻随着温度的升高呈现较大的增 加，这样当一个固定电压(如图1中的电压调节器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种霍尔效应电路的温度补偿方法，其特征在于：将与霍尔迁移率的温度系数变化成正比关系相互跟随的正温度系数电压调节器作为霍尔效应电路的偏置电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：管慧，陈俊，
申请(专利权)人：上海钜胜微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]