【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电容传感器和模拟电路的应用，具体涉及两种微电容参比测 量电路。
技术介绍
电容传感器由于其结构简单、耐高温、抗干扰及非侵入性等特点，广泛 应用于液位、浓度、湿度、压力、位移、流量等信号检测，在电气电子行业 受到普遍关注和重视，电容传感器的结构和功能也在不断改进和提高。对电 容的精确测量，特别是微电容的精确测量是确保电容传感器质量的关键。然 而，测量输入回路的分布电容有可能远远大于被测的微电容，因此寻求一种 不受测量输入回路分布影响的高精度微电容测量电路是必要的。目前微电容测量电路广泛采用基于运算放大器的电荷充放电法，并且可 以归类于两种基本方法， 一种是基于电容反馈的测量电路，另一种是基于电 阻反馈的测量电路。如附图3所示， 一种基于电容反馈的测量电路，图3中E是电压源，Cx 为被测微电容，CD1、 CD2为测量回路分布电容，Cp为反馈电容，A为运算放 大器，Sp S2、 S3为MOS电子开关。当S^ S3闭合，S2断开，电压源E对被 测微电容Cx充电至电压E，此过程中反馈电容Cp电压为0;当Si、 S3断开， S2闭合，被测微电容Cx对地放电至0...
【技术保护点】
微电容参比测量电路，其特征在于，该电路输入端通过引入任意波形的激励电压Ｅ，再连接电阻Ｒ以及测量回路分布电容Ｃ↓［Ｄ］，之后分成两路分别接入运算放大器Ａ↓［１］、Ａ↓［２］，其中一路通过连接被测微电容Ｃ↓［ｘ］和测量回路分布电容Ｃ↓［Ｄ］↑［／］接入运算放大器Ａ↓［１］的反向输入端，该运算放大器的正向输入端接地，输出端Ｕ↓［ｘ］与反向输入端间连接有反馈电阻Ｒ↓［１］；另一路通过连接已知参比电容Ｃ↓［Ｒ］接入运算放大器Ａ↓［２］的反向输入端，该运算放大器的正向输入端接地，输出端Ｕ↓［Ｒ］与反向输入端间连接有反馈电阻Ｒ↓［２］。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：彭建学，叶银忠，刘以建，
申请(专利权)人：上海海事大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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