半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降成套装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术是半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降成套装置，其结构包括通过管道依次连接的第一、二、三、四、五反应池和斜板沉淀池，第一反应池连接废水进水管，斜板沉淀池底部通过带有污泥回流泵的出管与管道混合器连接，管道混合器连接第四反应池，污泥回流泵靠近斜板沉淀池一侧的斜板沉淀池底部出管连接带有污泥输送泵的污泥输送管。本实用新型专利技术的优点：双氧水去除剂节约药剂成本，去除速度快，效率高；氯化镁+重捕剂联合去除络合铜，工艺简单，投资成本低；回流污泥中添加液碱，加快污泥沉降速度，提高斜板沉淀池表面负荷，减少沉淀池占地面积；污泥体积大幅减少，减少脱水机处理规模，不需设置污泥浓缩池。

【技术实现步骤摘要】
半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降成套装置
本技术涉及的是一种半导体行业所产生的低浓度含铜废水达标排放及高效沉降的成套装置，属于废水处理

技术介绍
在半导体制造生产工艺中会产生多种废水，其中包括水量占比较大的含铜废水。目前，高浓度的含铜废液一般采用委外处理的方式来进行回收，低浓度的含铜废水单独排入废水处理系统进行处理。含铜废水中污染物主要有双氧水、铜离子以及络合铜，其中络合铜含量高达70％以上，加碱难以使络合铜沉淀。现有技术中含铜废水破络方式主要有臭氧催化氧化、芬顿氧化及投加重捕剂等工艺，但存在以下缺点：(1)采用臭氧工艺处理含铜废水时，臭氧利用率低，导致臭氧投加量过大，投资成本昂贵；(2)采用芬顿工艺处理低浓度含铜废水时，铁盐投加量大，污泥产生量多，对络合铜有一定去除效率，但存在出水不达标风险；(3)重捕剂价格高昂，单独使用重捕剂会使药剂费用大大增加；(4)经过物化处理产生的含铜污泥含水率极高，达到99％以上，使得含铜污泥体积较大，增大了污泥处置费用及污泥浓缩池的投资费用。中国专利CN10501653本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降成套装置，其特征包括通过管道依次连接的第一反应池(1)、第二反应池(2)、第三反应池(3)、第四反应池(4)、第五反应池(5)和斜板沉淀池(6)，第一反应池(1)连接废水进水管，斜板沉淀池(6)底部通过带有污泥回流泵(8)的出管与管道混合器(7)连接，管道混合器(7)连接第四反应池(4)，污泥回流泵(8)靠近斜板沉淀池(6)一侧的斜板沉淀池(6)底部出管连接带有污泥输送泵(9)的污泥输送管。/n

【技术特征摘要】
1.半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降成套装置，其特征包括通过管道依次连接的第一反应池(1)、第二反应池(2)、第三反应池(3)、第四反应池(4)、第五反应池(5)和斜板沉淀池(6)，第一反应池(1)连接废水进水管，斜板沉淀池(6)底部通过带有污泥回流泵(8)的出管与管道混合器(7)连接，管道混合器(7)连接第四反应池(4)，污泥回流泵(8)靠近斜板沉淀池(6)一侧的斜板沉淀池(6)底部出管连接带有污泥输送泵(9)的污泥输送管。

【专利技术属性】
技术研发人员：罗嘉豪，高康，刘佳，廖翔，王伟，陈琳瑗，
申请(专利权)人：江苏中电创新环境科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32