控制EUV光源中的碎片的装置和方法制造方法及图纸

公开了一种EUV系统，该EUV系统包括用于以液体形式累积目标材料碎片的措施，其中目标材料被阻隔喷吐到光学元件上，并且在其中可以引起目标材料固化并且然后传送到目标材料可以被熔融并且被允许排掉而不会污染收集器的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】控制EUV光源中的碎片的装置和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年3月27日提交的美国申请62/648,505的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本公开涉及一种用于从等离子体生成极紫外(“EUV”)辐射的装置和方法，等离子体是通过在容器中对目标材料进行放电或激光烧蚀而生成的。在这样的应用中，光学元件例如用于收集和引导辐射以用于半导体光刻和检查。
技术介绍
极紫外辐射(例如，波长为大约50nm或更短的电磁辐射(有时也称为软X射线)，并且包括波长为大约13.5nm的辐射)可以用于光刻工艺中以在诸如硅晶片等衬底中生产极小特征。用于生成EUV辐射的方法包括将目标材料转换成等离子体状态。目标材料优选地包括具有在电磁光谱的EUV部分中的一个或多个发射线的至少一种元素，例如氙、锂或锡。目标材料可以是固体、液体或气体。在通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的一种这样的方法中，所需要的等离子体可以通过使用激光束照射具有所需要的线发射元素的目标材料来产生。一种LPP技术涉及生成目标材料液滴液滴并且用一个或多个激光辐射脉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于生成EUV辐射的装置，所述装置包括：/n容器；/n残余目标材料收集表面，具有第一位置和第二位置，在所述第一位置处，所述残余目标材料收集表面被布置为收集来自照射区域的残余目标材料，所述第二位置与所述容器的壁的至少一部分的内部之间被遮挡，在所述第二位置处，所述残余目标材料收集表面被布置为释放在所述第一位置处收集的残余目标材料；和/n温度控制器，被布置为在所述第一位置将所述残余目标材料收集表面维持在所述目标材料的熔融温度以下，并且被布置为在所述第二位置将所述残余目标材料收集表面维持在所述目标材料的熔融温度以上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180327 US 62/648,5051.一种用于生成EUV辐射的装置，所述装置包括：
容器；
残余目标材料收集表面，具有第一位置和第二位置，在所述第一位置处，所述残余目标材料收集表面被布置为收集来自照射区域的残余目标材料，所述第二位置与所述容器的壁的至少一部分的内部之间被遮挡，在所述第二位置处，所述残余目标材料收集表面被布置为释放在所述第一位置处收集的残余目标材料；和
温度控制器，被布置为在所述第一位置将所述残余目标材料收集表面维持在所述目标材料的熔融温度以下，并且被布置为在所述第二位置将所述残余目标材料收集表面维持在所述目标材料的熔融温度以上。


2.根据权利要求1所述的装置，其中所述残余目标材料收集表面包括带的表面。


3.根据权利要求2所述的装置，其中所述带在所述第一位置被冷却，并且在所述第二位置被加热。


4.根据权利要求2所述的装置，还包括：至少一个洗涤器，所述至少一个洗涤器被定位在第二位置邻近所述带，并且被布置为从所述带上去除残余目标材料。


5.根据权利要求4所述的装置，其中所述至少一个洗涤器被定位为使得从所述带上去除的残余目标材料通过重力流至接收器。


6.根据权利要求1所述的装置，还包括：与腔室流体连通的腔室排气歧管。


7.根据权利要求6所述的装置，其中所述腔室排气歧管具有衬里，并且其中所述衬里的至少一部分被加热。


8.根据权利要求1所述的装置，其中所述残余目标材料收集表面包括遮挡件。


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【专利技术属性】
技术研发人员：M·G·兰格洛斯，R·G·M·兰斯博根，M·H·A·里恩德斯，H·G·泰格波什，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL