【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】改善近场链路的EMI抑制相关申请的交叉引用本申请基于并要求KennethG.Richardson于2018年3月23日提交的美国临时专利申请序列号62/647,464的优先权,该申请通过引用合并于此。
本专利技术涉及使用近场RF彼此通信的电路,其在电路之间提供电流隔离,并且特别地,涉及减小共模噪声对通信质量的影响。
技术介绍
在某些情况下,期望使两个电路彼此电隔离,同时使电路能够通信。可以这样做是为了使电路的接地相互隔离,或减少一个电路与另一个电路之间的噪声耦合,或用于其他目的。用于这种“电流隔离”的常用技术包括使用变压器或光链路。变压器往往相对较大且昂贵。光学链路需要LED和光电探测器,这会增加电路的尺寸和成本。光学链路不易受到电磁干扰(EMI)的影响,但光电二极管检测器电路中的电子设备易受EMI的影响。连接器的屏蔽可以用来减轻环境EMI的影响,内部EMI屏蔽可以添加到封装中,但是这种屏蔽会增加成本。可以将用于滤除EMI的滤波器添加到接收器,但会增加信号延迟。需要一种更紧凑和便宜的技术,以电 ...
【技术保护点】
1.系统,包括:/n用于传输数据的第一电路;/n用于接收传输的数据的第二电路;/n第一电磁干扰检测电路;/n第一电感线圈,耦合到所述第一电路以使用近场通信来传输数据;/n第二电感线圈,耦合到所述第二电路以使用近场通信来接收所述数据,所述第二电感线圈靠近所述第一电感线圈以在所述第二电感线圈和所述第一电感线圈之间磁性耦合;和/n第三电感线圈,耦合到所述第一EMI检测电路以用于检测也基本上被所述第一电感线圈或所述第二电感线圈接收的EMI信号,/n其中所述第一EMI检测电路被配置为基于由所述第三电感线圈检测到的EMI信号来控制所述第一电路或所述第二电路中的至少一个,以改善数据信号的信噪比。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180323 US 62/647,464;20190311 US 16/298,9131.系统,包括:
用于传输数据的第一电路;
用于接收传输的数据的第二电路;
第一电磁干扰检测电路;
第一电感线圈,耦合到所述第一电路以使用近场通信来传输数据;
第二电感线圈,耦合到所述第二电路以使用近场通信来接收所述数据,所述第二电感线圈靠近所述第一电感线圈以在所述第二电感线圈和所述第一电感线圈之间磁性耦合;和
第三电感线圈,耦合到所述第一EMI检测电路以用于检测也基本上被所述第一电感线圈或所述第二电感线圈接收的EMI信号,
其中所述第一EMI检测电路被配置为基于由所述第三电感线圈检测到的EMI信号来控制所述第一电路或所述第二电路中的至少一个,以改善数据信号的信噪比。
2.权利要求1所述的系统,其中所述第一电感线圈包括平坦的第一螺旋,并且所述第二电感线圈包括平坦的第二螺旋,其中所述第一螺旋和所述第二螺旋重叠并且被介电层隔开。
3.权利要求1所述的系统,还包括:
第四电感线圈,所述第三电感线圈靠近所述电感线圈用于在所述第三电感线圈和第四电感线圈之间磁性耦合;和
耦合到所述第四电感线圈的第二EMI检测电路,其中所述第二EMI检测电路被配置为基于由所述第四电感线圈检测的EMI信号来控制所述第一电路或所述第二电路中的至少一个以提高数据信号的信噪比。
4.权利要求3所述的系统,其中当彼此靠近时,所述第一电感线圈和所述第二电感线圈的物理和电气特性与彼此靠近时所述第三电感线圈和所述第四电感线圈的物理和电气特性基本相同。
5.权利要求4所述的系统,其中所述第一电感线圈和所述第二电感线圈都在封装中的第一芯片中,而所述第三电感线圈和所述第四电感线圈都在封装中的第二芯片中。
6.权利要求3所述的系统,其中所述第一EMI检测电路沿着所述第一电路位于第一芯片上,并且所述第二EMI检测电路沿着第二电路位于第二芯片上。
7.权利要求1所述的系统,其中所述第一电路包括发射器,并且所述EMI检测电路基于检测的EMI信号来控制所述发射器的输出功率。
8.权利要求1所述的系统,其中所述第二电路包括接收器,并且所述EMI检测电路控制所述接收器的阈值,以确定传输的数据的二进制电平。
9.权利要求1所述的系统,其中所述第一电路包括发射器,并且所述EMI检测电路基于检测的EMI信号来补偿由所述发射器发送的数据信号。
10.权利要求1所述的系统,其中所述第二电路包括接收器,并且所述EMI检测电路基于检测的EMI信号来补偿接收的数据信号。
11.权利要求1所述的系统,其中所述第二电路包括求和器,用于接收来自所述第二电感线圈的信号并接收从所述第三电感线圈获得的信号,其中所述求和器的输出是来自所述第二电感线圈的信号和从所述第三电感线圈获得的信号之间的差,其中所述求和器的输出包括已至少部分补偿EMI信号的数据信号。
12.权利要求1所述的系统,其中所述第一电路包括求和器,用...
【专利技术属性】
技术研发人员:K·G·理查森,
申请(专利权)人:美国亚德诺半导体公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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