【技术实现步骤摘要】
增强瞬态特性的自适应迟滞控制变换器、控制方法及设备
本申请涉及集成电路领域,特别是一种增强瞬态特性的自适应迟滞控制变换器、控制方法及设备。
技术介绍
Buck变换器(降压型开关变换器)应用较为广泛的有电压控制模式、峰值电流控制模式和迟滞控制模式。由于迟滞控制模式相比于电压控制模式和峰值电流控制模式,具有不需要补偿网络和误差放大器,环路结构简单并自震荡,同时瞬态响应速度较快、功耗较低,因而广泛得到应用。迟滞控制模式的变换器需要采样输出纹波做反馈控制,在超低反馈基准电压的发展趋势下,迟滞控制模式越来越难以实现更好的瞬态特性,因此通常迟滞控制模式会加入斜坡补偿电路来增强变换器的瞬态特性,现有的带有斜坡补偿电路的迟滞控制模式变换器结构如图1、2所示,现有的斜坡补偿方案虽然能够保证系统的稳定,但是其补偿采用静态补偿,系统瞬态响应不能达到最佳。为此,相比于静态斜坡补偿,为了进一步提高变换器的瞬态特性,带有自适应的斜坡补偿方案的迟滞控制模式变换器也被广泛的应用。现自适应迟滞控制变换器主要有两种:一种通过采用动态可变 ...
【技术保护点】
1.一种增强瞬态特性的自适应迟滞控制变换器,所述变换器用于将输入电能变换成负载所需的电压或电流可控的电能,包括补偿单元,输入单元,处理单元和比较单元,其特征在于,所述补偿单元和所述处理单元分别与所述输入单元和比较单元连接;/n其中,所述补偿单元包括,MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、运算放大器OP3、电容C2、电容C3、电感L和电阻R1;/n所述MOS管M3漏端及栅端分别与输入单元连接,/n所述MOS管M3的栅端分别与所述MOS管M4的栅端、所述运算放大器OP3的输出端和所述运算放大器OP3的正向输入端连接,/n所述MOS管M3的源端分别与所述MOS管M5的栅端及漏 ...
【技术特征摘要】
1.一种增强瞬态特性的自适应迟滞控制变换器,所述变换器用于将输入电能变换成负载所需的电压或电流可控的电能,包括补偿单元,输入单元,处理单元和比较单元,其特征在于,所述补偿单元和所述处理单元分别与所述输入单元和比较单元连接;
其中,所述补偿单元包括,MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、运算放大器OP3、电容C2、电容C3、电感L和电阻R1;
所述MOS管M3漏端及栅端分别与输入单元连接,
所述MOS管M3的栅端分别与所述MOS管M4的栅端、所述运算放大器OP3的输出端和所述运算放大器OP3的正向输入端连接,
所述MOS管M3的源端分别与所述MOS管M5的栅端及漏端、所述MOS管M4的漏端、所述电感L的一端和所述输入单元连接,
所述MOS管M4的源端分别与所述电容C2的一端和所述电容C3的一端连接,
所述MOS管M5的源端与所述电容C2另一端、所述电感L的另一端、所述电阻R1的一端连接,
所述运算放大器OP3的反向输入端分别与所述电容C3的另一端、所述电阻R1的另一端和所述比较单元连接。
2.根据权利要求1所述的变换器,其特征在于,所述输入单元包括二极管D1、MOS管M1、MOS管M2、电容C1和缓冲器Buffer;
所述缓冲器Buffer分别与所述MOS管M1的栅端和漏端、所述MOS管M2的栅端、所述处理单元、所述二极管D1的输入端和输入电源的正极连接;
所述MOS管M1的漏端与所述二极管D1的输入端连接;所述MOS管M1的源端分别与所述MOS管M2的漏端、所述电容C1的另一端、所述电感L的一端连接;
所述二极管D1的输出端分别与所述MOS管M3的漏端和栅端以及所述电容C1的一端连接;
所述MOS管M2的源端接地。
3.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙凯,周小虎,
申请(专利权)人:深圳市凯冠智能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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