具有椭圆形电容单元阵列的存储器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种椭圆形电容单元阵列，包括：衬底，其被配置为承载电容单元；以及多个电容单元，其在衬底中在第一方向上延伸，其中所述电容单元在横向于第一方向的第二方向上的横截面为椭圆，并且所述电容单元在衬底中被布置为使得相邻电容单元之间的最小间距不小于最小间距阈值。本发明专利技术还涉及该电容单元阵列的制造方法。通过本发明专利技术，可以显著提高电容的性能、尤其是铁电性，由此显著提高存储器、尤其是铁电存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
具有椭圆形电容单元阵列的存储器及其制造方法
本专利技术总的来说涉及半导体领域，更具体而言，涉及一种具有椭圆形电容单元阵列的存储器。此外，本专利技术还涉及一种用于制造这样的椭圆形电容单元阵列存储器的方法。
技术介绍
近年来，铁电存储器作为一种高写入速度和高读写次数的新型存储器，受到越来越多的关注。铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器。当电场被施加到铁电晶体管时，中心原子顺着电场停留在第一低能量状态，而当电场反转被施加到同一铁晶体管时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动并停留在第二低能量状态。大量中心原子在晶体单胞中移动并耦合形成铁电畴，铁电畴在电场作用下形成极化电荷。铁电畴在电场下反转所形成的极化电荷较高，铁电畴在电场下无反转所形成的极化电荷较低，这种铁电材料的二元稳定状态使得铁电可以用作存储器。当移去电场以后，中心原子保持在低能量状态，存储器的状态也得以保存不会消失，因此可通过铁电畴在电场下反转形成的高极化电荷或者无反转形成的低极化电荷来判断存储单元是处于“1”还是“0”状态。铁电畴的反转不需要高电场，而是仅用一般的工作电压就可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种椭圆形电容单元阵列，包括：/n衬底，其被配置为承载电容单元；以及/n多个电容单元，其在衬底中在第一方向上延伸，其中所述电容单元在横向于第一方向的第二方向上的横截面为椭圆，并且所述电容单元在衬底中被布置为使得相邻电容单元之间的最小间距不小于最小间距阈值。/n

【技术特征摘要】
1.一种椭圆形电容单元阵列，包括：
衬底，其被配置为承载电容单元；以及
多个电容单元，其在衬底中在第一方向上延伸，其中所述电容单元在横向于第一方向的第二方向上的横截面为椭圆，并且所述电容单元在衬底中被布置为使得相邻电容单元之间的最小间距不小于最小间距阈值。


2.根据权利要求1所述的椭圆形电容单元阵列，其中所述电容单元包括横向排列的多行和纵向排列的多列，其中每行和每列分别包括多个电容单元。


3.根据权利要求2所述的椭圆形电容单元阵列，其中每行的电容单元的椭圆的中心和每列的电容单元的椭圆的中心分别对齐，并且其中每个电容单元的椭圆的长半径与每行的电容单元的椭圆的中心连线成45°。


4.根据权利要求2所述的椭圆形电容单元阵列，其中每列的电容单元的椭圆的中心对齐，并且每个电容单元的椭圆的短半径平行于每列的电容单元的椭圆的中心连线，并且相邻两列的电容单元的椭圆的中心在纵向上彼此偏离第一偏移量，其中第一偏移量等于每列的相邻电容单元的中心距的一半。


5.根据权利要求3或4所述的椭圆形电容单元阵列，其中每个电容单元的椭圆的长半径与短半径的长度比为1.5至3。


6.根据权利要求1所述的椭圆形电容单元阵列，其中第一方向垂直于第二方向。


7.根据权利要求4所述的椭圆形电容单元阵列，其中每两个相邻电容单元之间的最小间距都相等并且等于最小间距阈值。


8.根据权利要求3或4所述的椭圆形电容单元阵列，其中所述电容单元为铁电电容单元。


9.一种用于形成根据权利要求1至8之一所述的椭圆形电容单元阵列的方法，包括下列步骤：
提供衬底；
在衬底的第一表面上形成多个深孔结构，其中所述深孔结构在与第一表面平行的方向上的横截面为椭圆；以及
...

【专利技术属性】
技术研发人员：华文宇，陶谦，刘藩东，夏季，
申请(专利权)人：无锡拍字节科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32