一种芯片的封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术涉及一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其基板（9）上设置的散热盖（3）呈帽状结构，其帽檐部（31）的下表面与基板（9）连接，所述帽体部（33）呈隆起的内部腔体，所述帽体部（33）的内侧设置导热加强结构，所述导热加强结构为沟槽、坑、凸点的一种或几种组成的网状结构，对导热加强结构溅镀高导热金属；所述散热盖（3）的外侧表面设置铜箔层（4），所述铜箔层（4）的表面沉积石墨烯，形成石墨烯层（7）。本发明专利技术通过优化散热盖结构设计，减少了芯片装片时的散热材料和焊料溢出，提高了产品的导热和散热性能。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片的封装结构及其封装方法
本专利技术涉及一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装

技术介绍
随着技术的发展，芯片封装尺寸越来越趋近于微型化，焊球阵列封装(BallGridArray，BGA)往往用于高端处理器芯片的封装。高端处理器的芯片运算速度大幅增加，芯片于其内运作所产生的热能亦随之增加，因此，芯片封装体急需解决其导热和散热问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种高导热和散热的芯片封装结构及其封装方法。本专利技术的目的是这样实现的：本专利技术提供了一种散热盖，所述散热盖呈帽状结构，其包括帽檐部和帽体部，所述帽檐部的下表面与基板连接，所述帽体部呈隆起的内部腔体，所述帽体部的内侧设置导热加强结构，所述导热加强结构为沟槽、坑、凸点的一种或几种组成的网状结构，所述导热加强结构的表面设置高导热金属层；所述散热盖的外侧表面设置铜箔层，所述铜箔层的表面沉积石墨烯，形成石墨烯层。进一步地，所述帽体部的内侧设置芯片容纳区，所述芯片容纳区的位置、大小与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种散热盖，所述散热盖（3）呈帽状结构，其包括帽檐部（31）和帽体部（33），所述帽檐部（31）的下表面与基板（9）连接，所述帽体部（33）呈隆起的内部腔体，/n其特征在于，所述帽体部（33）的内侧设置导热加强结构（34），所述导热加强结构（34）为沟槽、坑、凸点的一种或几种组成的网状结构，所述导热加强结构（34）的表面设置高导热金属层；/n所述散热盖（3）的外侧表面设置铜箔层（4），所述铜箔层（4）的表面沉积石墨烯，形成石墨烯层（7）。/n

【技术特征摘要】
1.一种散热盖，所述散热盖（3）呈帽状结构，其包括帽檐部（31）和帽体部（33），所述帽檐部（31）的下表面与基板（9）连接，所述帽体部（33）呈隆起的内部腔体，
其特征在于，所述帽体部（33）的内侧设置导热加强结构（34），所述导热加强结构（34）为沟槽、坑、凸点的一种或几种组成的网状结构，所述导热加强结构（34）的表面设置高导热金属层；
所述散热盖（3）的外侧表面设置铜箔层（4），所述铜箔层（4）的表面沉积石墨烯，形成石墨烯层（7）。


2.根据权利要求1所述的散热盖，其特征在于，所述帽体部（33）的内侧设置芯片容纳区（36），所述芯片容纳区（36）的位置、大小与芯片（1）匹配，所述导热加强结构（34）设置于芯片容纳区（36）内。


3.根据权利要求2所述的散热盖，其特征在于，所述高导热金属层的材质为铟金属。


4.一种芯片的封装结构，其特征在于，其包括芯片（1）、基板（9）和如权利要求1或2或3所述的散热盖，所述芯片（1）倒装于基板（9），所述散热盖扣在芯片（1）上方并与基板（9）连接，
所述芯片（1）的背面从下往上依次设置金属种子层（12）、第一导热金属层（13）、第二导热金属层（15）和金属加固层（17），所述第二导热金属层（15）的外围形成复数个环形的回流沟（18），所述金属加固层（17）露出回流沟（18）。


5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述回流沟（18）的数量以一至三条为佳。


6.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属加固层（17）的厚度小于第二导热金属层（15）的厚度。


7.一种芯片的封装结构的封装方法，其工艺步骤如下:
步骤一、提供一集成电路晶圆（10），其正面设有芯片电极及相应的电路布局和切割线（19）；
步骤二、利用溅射或化学镀的方法在晶圆背面沉积金属种子层（12）；
步骤三、再在金属种子层（12）上电镀或化学镀第一导热金属层（13）；
步骤四、利用光刻工艺，在第一导热金属层（13）的上表面形成第一光刻图案（14），该第一光刻图案（14）的中央为镂空的圆形、其外围为镂空的环形圈（141）；
步骤五、利用电镀工艺，填充光刻图案，在第一导热金属层（13）...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍漫，刘怡，王卫军，
申请(专利权)人：星科金朋半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32