一种平面透镜聚焦器件及调控焦距的方法技术

技术编号:26258598 阅读:55 留言:0更新日期:2020-11-06 17:51
本发明专利技术提供的一种平面透镜聚焦器件包括,基底层,在所述基底层上侧布置一层氧化钼薄层,在所述基底层的下侧布置硅衬底,在所述氧化钼薄层的上侧覆盖金属天线,或者在所述氧化钼薄层下侧与基底层之间嵌入金属天线,在氧化钼薄层上层覆盖石墨烯层;所述石墨烯层与所述硅衬底接通电压,金属天线激发双曲声子激元,通过电压改变石墨烯层的费米能级,调整纳米聚焦的焦距。本发明专利技术提供在石墨烯层与硅衬底之间接通电压,通过改变电压进而改变石墨烯层的费米能级,动态调控焦距的位置,从而实现平面透镜聚焦的焦距调整。本发明专利技术简单易行,且使用的范围广,成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种平面透镜聚焦器件及调控焦距的方法
本专利技术涉及纳米聚焦
,特别涉及一种平面透镜聚焦器件及调整纳米聚焦的焦距的方法。
技术介绍
氧化钼是一种双轴材料且具有强烈的各向异性。其在不同剩余射线带内,沿不同光轴的介电函数相反,产生的声子激元具有明显的平面双曲特性,可以控制光沿在某一特殊方向传播,因而在纳米光学中控制与调控光领域具有重要的应用。双曲声子激元是一类特殊的激元,相比较其他传导类型的激元(如等离激元,激子激元),其具有明显的各向异性以及低损耗特性。在现有技术中,依靠天然氧化钼材料可以实现片内双曲声子激元的激发。石墨烯是SP2杂化形成蜂窝状晶格结构的单原子层二维材料,具有线性能带结构。石墨烯的最大优势在于具有电学可调的载流子浓度,动态改变介电函数。构建平面透镜,实现纳米聚焦对于微纳光学,光控制与调节领域具有重要的应用价值。现有技术中,人们主要依靠超结构,表面构造纳米聚焦的透镜。但是由于微纳加工的影响,会造成较大的光损耗,且由于尺寸的影响,聚集光的范围比较窄。此外,依靠超结构,表面构造纳米聚焦的透镜,制造的成本较高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平面透镜聚焦器件,其特征在于,所述器件包括,基底层,在所述基底层上侧布置一层氧化钼薄层,在所述基底层的下侧布置硅衬底;/n在所述氧化钼薄层的上侧覆盖金属天线,或者在所述氧化钼薄层下侧与基底层之间嵌入金属天线,在氧化钼薄层上层覆盖石墨烯层;/n所述石墨烯层与所述硅衬底接通电压,金属天线激发双曲声子激元,通过电压改变石墨烯层的费米能级,调整纳米聚焦的焦距。/n

【技术特征摘要】
20200731 CN 20201076003311.一种平面透镜聚焦器件,其特征在于,所述器件包括,基底层,在所述基底层上侧布置一层氧化钼薄层,在所述基底层的下侧布置硅衬底;
在所述氧化钼薄层的上侧覆盖金属天线,或者在所述氧化钼薄层下侧与基底层之间嵌入金属天线,在氧化钼薄层上层覆盖石墨烯层;
所述石墨烯层与所述硅衬底接通电压,金属天线激发双曲声子激元,通过电压改变石墨烯层的费米能级,调整纳米聚焦的焦距。


2.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述基底层材料为无机介电材料或有机高分子材料。


3.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述氧化钼薄层的平面几何尺寸为1μm-500μm,厚度为2nm-5000nm;所述金属天线的几何尺寸为10nm-300μm,厚度为20nm-50μm;所述石墨烯层的平面几...

【专利技术属性】
技术研发人员:滕汉超胡海陈娜胡德波秦亚灵其他发明人请求不公开姓名
申请(专利权)人:国家纳米科学中心
类型:发明
国别省市:北京;11

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