一种温控合成装置制造方法及图纸

技术编号:26253445 阅读:43 留言:0更新日期:2020-11-06 17:40
本发明专利技术涉及一种温控合成装置。该温控合成装置包括:筒状罐体,具有中部空腔和围绕中部空腔的密封环形内腔,密封环形内腔用于容纳反应物料;驱动装置,与筒状罐体沿传动连接,且能带动筒状罐体绕自身轴线转动,筒状罐体以自身轴线水平或倾斜的状态布置;温控系统,包括换热介质源和与换热介质源相连的喷淋器,喷淋器包括对应于中部空腔并向中部空腔的腔壁进行喷淋的内喷淋器,以及处于筒状罐体的外侧并对筒状罐体的外侧面进行喷淋的外喷淋器。本发明专利技术利用罐体的转动使反应原料充分接触,转动过程中,物料主要散落在环形内腔的腔壁面上,通过对筒状罐体的内、外分别喷淋控温,可使反应温度得到有效控制,可用于合成乙硼烷等对反应温度敏感的物质。

【技术实现步骤摘要】
一种温控合成装置
本专利技术属于合成反应装置领域,具体涉及一种温控合成装置。
技术介绍
乙硼烷,又称六氢化二硼、硼乙烷,分子式为B2H6,相对分子量为27.67。乙硼烷的分子构型非常特殊,分子中的6个氢原子中的4个氢原子和两个硼原子以正常的共价键结合,另外两个氢原子每个氢原子同时和两个硼原子靠两个电子互相结合成键,形成B-H-B键,分别作为连接两个硼原子的“桥梁”。按正常的价键理论,乙硼烷需14个价电子,而它只有12个价电子,因此它是一个典型的“缺电子”化合物。在电子工业中乙硼烷作为气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂,主要用做P-型半导体芯片生产中的掺杂剂。目前,集成电路对乙硼烷的纯度要求已经达到5N级(99.999%),甚至7N级以上,市场上这类高纯度电子级乙硼烷也主要由国外公司提供。乙硼烷通常条件下(15℃,101.325kPa)呈气态,是一种无色、易燃、易分解、具有令人恶心的烟火气味和微甜味道的高毒气体。乙硼烷是一种非常活泼的化合物,常温下就不很稳定,会缓慢地分解生成各种不同含量的高级硼氢化合物,同时会放出氢气。温度升高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种温控合成装置,其特征在于,包括:/n筒状罐体,具有中部空腔和围绕中部空腔的密封环形内腔,密封环形内腔用于容纳反应物料;/n驱动装置,与筒状罐体沿传动连接,且能带动筒状罐体绕自身轴线转动,筒状罐体以自身轴线水平或倾斜的状态布置;/n温控系统,包括换热介质源和与换热介质源相连的喷淋器,喷淋器包括对应于中部空腔并向中部空腔的腔壁进行喷淋的内喷淋器,以及处于筒状罐体的外侧并对筒状罐体的外侧面进行喷淋的外喷淋器。/n

【技术特征摘要】
1.一种温控合成装置,其特征在于,包括:
筒状罐体,具有中部空腔和围绕中部空腔的密封环形内腔,密封环形内腔用于容纳反应物料;
驱动装置,与筒状罐体沿传动连接,且能带动筒状罐体绕自身轴线转动,筒状罐体以自身轴线水平或倾斜的状态布置;
温控系统,包括换热介质源和与换热介质源相连的喷淋器,喷淋器包括对应于中部空腔并向中部空腔的腔壁进行喷淋的内喷淋器,以及处于筒状罐体的外侧并对筒状罐体的外侧面进行喷淋的外喷淋器。


2.如权利要求1所述的温控合成装置,其特征在于,筒状罐体的两端开口。


3.如权利要求1所述的温控合成装置,其特征在于,所述内喷淋器伸入中部空腔中,且沿中部空腔的长度方向延伸。


4.如权利要求1所述的温控合成装置,其特征在于,所述外喷淋器处于筒状罐体外周面的旁侧,且沿筒状罐体的长度方向延伸。


5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:卫志强杨晖王勇胡伊乐李三强郭丽哲
申请(专利权)人:河南科技大学
类型:发明
国别省市:河南;41

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