三氧化钨/石墨相氮化碳复合材料在降解CIP中的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种三氧化钨/石墨相氮化碳复合材料在降解CIP中的应用，三氧化钨/石墨相氮化碳复合材料的制备方法包括以下步骤：将钨酸盐与蒸馏水混合，室温下搅拌，得到A溶液，将双氰胺加入到A溶液中，室温下搅拌，得到B溶液，将葡萄糖加入至B溶液中，室温下搅拌，得到C溶液，将C溶液于180～200℃水热反应18～20h，自然冷却至室温，离心，洗涤，干燥，得到固体；将固体于400～550℃煅烧3～5h，自然冷却至室温，得到WO

【技术实现步骤摘要】
三氧化钨/石墨相氮化碳复合材料在降解CIP中的应用
本专利技术属于处理有机污染物废水
，具体来说涉及一种三氧化钨/石墨相氮化碳复合材料在降解CIP中的应用。
技术介绍
环丙沙星(CIP)是一种典型的氟喹诺酮类抗生素，不仅广泛用于农业和水产养殖，还广泛用于动物和人类医学。据报道，由于CIP的化学结构稳定，难以生物降解，CIP在水生生态系统中被广泛检测到，包括污水、河流、地下水以及饮用水。此外，已经证明CIP残留导致新的抗生素抗性基因和细菌的形成，这对公众健康和生态系统造成巨大的恐慌。因此，迫切需要找到高效去除CIP的方法，这对创造绿色和谐的生态环境大有裨益。电化学高级氧化过程(EAOPs)广泛应用于去除持久性有机污染物。活性自由基的类型和产率是EAOPs的关键因素。主要的活性自由基或中间体包括e-,h+,·OH,O2,H2O2和·O2-。电芬顿(EF)工艺是通过氧气在阴极的双电子还原反应连续电生成大量H2O2继而产生·OH的良好来源，但是产率较低，无法将难降解的有机污染物完全降解。e-,h+,·O2-可以通过半导体在光催化过程中产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.WO

【技术特征摘要】
1.WO3/g-C3N4复合材料在降解CIP中的应用，其特征在于，WO3/g-C3N4复合材料的制备方法包括以下步骤：
1)将钨酸盐与蒸馏水混合，室温20～25℃下搅拌10～30min，得到A溶液，将双氰胺加入到所述A溶液中，室温20～25℃下搅拌10～30min，得到B溶液，将葡萄糖加入至B溶液中，室温20～25℃下搅拌10～30min，得到C溶液，其中，按物质的量份数计，所述钨酸盐、双氰胺和葡萄糖的比为1：(4～10)：(20～30)；
2)将所述C溶液于180～200℃水热反应18～20h，自然冷却至室温20～25℃，离心，先后依次分别用蒸馏水和乙醇洗涤，洗涤后在60～80℃干燥10～12h，得到固体；
3)将所述固体于400～550℃煅烧3～5h，自然冷却至室温20～25℃，得到所述WO3/g-C3N4复合材料。


2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述降解为类光电芬顿体系降解，在降解2小时内，所述WO3/g-C3N4复合材料使CIP的降解率提高至100％。


3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述类光电芬顿体系的条件为：向CIP废水投入WO3/g-C3N4复合材料，再向CIP废水中放入作为阴极的碳毡和作为阳极的铂片，通入O2并进行光照，进行CIP类光电芬顿体系降解。


4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，在降解2小时内，所述WO3/g-C3N4复合材料使TOC去...

【专利技术属性】
技术研发人员：李轶，白晓宇，谢良波，刘晓慧，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12