双频双极化天线及辐射单元制造技术

本实用新型专利技术涉及一种双频双极化天线及辐射单元，辐射单元包括正交极化设置的两对辐射臂及为辐射臂馈电的巴伦。两对辐射臂之间形成有十字镂空区。上述的辐射单元，其中一对辐射臂相当于是双频+45°极化半波阵子，另一对辐射臂相当于是双频‑45°极化半波阵子，整体形成双频双极化辐射单元。由于高频辐射臂的臂面面积小于低频辐射臂的臂面面积，高频辐射臂上背向十字镂空区的中心的侧边与十字镂空区的中心的距离小于低频辐射臂上背向十字镂空区的中心的侧边与十字镂空区的中心的距离，如此一方面能保证较好地改善天线的平面波束对称性和交叉极化比，另一方面由于相对增长了子阵列之间的间距从而起到改善子阵列间耦合度的作用，从而提升用户体验效果。

【技术实现步骤摘要】
双频双极化天线及辐射单元
本技术涉及移动通信
，特别是涉及一种双频双极化天线及辐射单元。
技术介绍
5G网络的工作频率相对传统的4G网络提高，以及5G网络的基站天线需要同时满足双频工作的要求，双频段工作的辐射单元的开发成为达成其目标的必要手段。然而，为满足双频工作的要求，传统的双频双极化天线在体积尺寸不变的情况下，子阵列间耦合度较差。
技术实现思路
基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种双频双极化天线及辐射单元，它能够满足双频工作特性的同时，改善耦合度。其技术方案如下：一种辐射单元，包括正交极化设置的两对辐射臂及为所述辐射臂馈电的巴伦，两对所述辐射臂之间形成有十字镂空区；每对所述辐射臂均包括两个高频辐射臂与两个低频辐射臂；两个所述高频辐射臂呈斜对角设置，两个所述低频辐射臂呈斜对角设置；两个所述高频辐射臂与两个所述低频辐射臂一一对应电性连接并相邻布置；其中一对所述辐射臂的所述高频辐射臂与另一对所述辐射臂的所述低频辐射臂相邻布置并通过导电件电性连接；所述高频辐射臂的臂面面积小于所述低频辐射臂的臂面面积，所述高频辐射臂上背向所述十字镂空区的中心的侧边与所述十字镂空区的中心的距离小于所述低频辐射臂上背向所述十字镂空区的中心的侧边与所述十字镂空区的中心的距离；所述辐射单元还包括用于支撑辐射臂、并为所述辐射臂馈电的巴伦。上述的辐射单元，其中一对辐射臂相当于是双频+45°极化半波阵子，另一对辐射臂相当于是双频-45°极化半波阵子，整体则形成双频双极化辐射单元。由于高频辐射臂的臂面面积小于低频辐射臂的臂面面积，高频辐射臂上背向十字镂空区的中心的侧边与十字镂空区的中心的距离小于低频辐射臂上背向十字镂空区的中心的侧边与十字镂空区的中心的距离，如此一方面能保证较好地改善天线的平面波束对称性和交叉极化比，另一方面由于相对增长了子阵列之间的间距从而起到改善子阵列间耦合度的作用，从而提升用户体验效果。在其中一个实施例中，所述的辐射单元还包括基板，所述辐射臂为铺设于所述基板上的金属层。在其中一个实施例中，所述高频辐射臂设有第一镂空区，所述低频辐射臂设有第二镂空区；所述第一镂空区与所述十字镂空区连通，所述第二镂空区与所述十字镂空区连通。在其中一个实施例中，对于同一极化并相邻布置的所述高频辐射臂与所述低频辐射臂，所述高频辐射臂面向所述低频辐射臂的边缘的一部分与所述低频辐射臂面向所述高频辐射臂的边缘的一部分之间电性连接，所述高频辐射臂面向所述低频辐射臂的边缘的另一部分与所述低频辐射臂面向所述高频辐射臂的边缘的另一部分之间间隔设置形成第一极化隔离镂空区；所述高频辐射臂面向所述低频辐射臂的边缘的另一部分还设有与所述第一极化隔离镂空区相连通的第二极化隔离镂空区，所述低频辐射臂面向所述高频辐射臂的边缘的另一部分还设有与所述第一极化隔离镂空区相连通的第三极化隔离镂空区。在其中一个实施例中，对于同一极化并相邻布置的所述高频辐射臂与所述低频辐射臂，所述高频辐射臂与所述低频辐射臂均呈三角形，所述高频辐射臂的斜边与所述低频辐射臂的斜边相邻布置。在其中一个实施例中，所述导电件包括依次连接的第一金属段、第二金属段及第三金属段；所述第一金属段与其中一对所述辐射臂的所述高频辐射臂相连，所述第三金属段与另一对所述辐射臂的所述低频辐射臂相连；所述导电件位于所述十字镂空区内。在其中一个实施例中，所述的辐射单元还包括十字隔离金属条，所述十字隔离金属条设置于所述十字镂空区的中部，且所述十字隔离金属条的设置方向与所述十字镂空区的设置方向相同。在其中一个实施例中，所述十字隔离金属条为呈中心对称设置的十字隔离金属条。在其中一个实施例中，对于同一极化并相邻布置的所述高频辐射臂与所述低频辐射臂，所述高频辐射臂面向所述低频辐射臂的边缘的一部分与所述低频辐射臂面向所述高频辐射臂的边缘的一部分之间电性连接，所述高频辐射臂与所述低频辐射臂相连接的部位设有馈电点。一种双频双极化天线，包括所述的辐射单元。上述的双频双极化天线，由于包括所述的辐射单元，其技术效果由所述的辐射单元带来，有益效果与所述的辐射单元的有益效果相同，不进行赘述。附图说明图1为本技术一实施例所述的辐射单元的俯视示意图；图2a为本技术一实施例所述的巴伦的第一介质板的第一侧面示意图；图2b为本技术一实施例所述的巴伦的第一介质板的第二侧面示意图；图2c为本技术一实施例所述的巴伦的第二介质板的第一侧面示意图；图2d为本技术一实施例所述的巴伦的第二介质板的第二侧面示意图；图3为本技术一实施例所述的双频双极化天线的示意图；图4为本技术一实施例所述的双频双极化天线的中间列子阵仿真辐射方向图；图5为本技术一实施例所述的双频双极化天线的仿真隔离度示意图；图6为本技术一实施例所述的双频双极化天线的同极化的耦合度仿真图；图7为本技术一实施例所述的双频双极化天线的异极化的耦合度仿真图。附图标记：10、辐射单元，101、十字镂空区，102、第一极化隔离镂空区，103、馈电点，11、高频辐射臂，111、侧边，112、第一镂空区，113、第二极化隔离镂空区，12、低频辐射臂，121、侧边，122、第二镂空区，123、第三极化隔离镂空区，13、导电件，131、第一金属段，132、第二金属段，133、第三金属段，14、基板，15、十字隔离金属条；20、巴伦，21、第一介质板，22、第二介质板，201、第一馈电微带线，202、第一接地微带线，203、第二接地微带线，204、第二馈电微带线，205、第三接地微带线，206、第四接地微带线，210、第一槽口，212、第一凸起，214、第二凸起，220、第二槽口，222、第三凸起，224、第四凸起；30、双频双极化天线，310、辐射子阵，32、隔离条。具体实施方式为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本技术的描述中，需要理解的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在中间元件。相反，当元件为称作“直接”与另一元件连接时，不存在中间元件。一般地，由于低频相对高频波长更长，导致辐射单元10在低频本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种辐射单元，其特征在于，包括正交极化设置的两对辐射臂，两对所述辐射臂之间形成有十字镂空区；每对所述辐射臂均包括两个高频辐射臂与两个低频辐射臂；两个所述高频辐射臂呈斜对角设置，两个所述低频辐射臂呈斜对角设置；两个所述高频辐射臂与两个所述低频辐射臂一一对应电性连接并相邻布置；其中一对所述辐射臂的所述高频辐射臂与另一对所述辐射臂的所述低频辐射臂相邻布置并通过导电件电性连接；/n所述高频辐射臂的臂面面积小于所述低频辐射臂的臂面面积，所述高频辐射臂上背向所述十字镂空区的中心的侧边与所述十字镂空区的中心的距离小于所述低频辐射臂上背向所述十字镂空区的中心的侧边与所述十字镂空区的中心的距离；所述辐射单元还包括用于支撑辐射臂、并为所述辐射臂馈电的巴伦。/n

【技术特征摘要】
20190702 CN 20191059030741.一种辐射单元，其特征在于，包括正交极化设置的两对辐射臂，两对所述辐射臂之间形成有十字镂空区；每对所述辐射臂均包括两个高频辐射臂与两个低频辐射臂；两个所述高频辐射臂呈斜对角设置，两个所述低频辐射臂呈斜对角设置；两个所述高频辐射臂与两个所述低频辐射臂一一对应电性连接并相邻布置；其中一对所述辐射臂的所述高频辐射臂与另一对所述辐射臂的所述低频辐射臂相邻布置并通过导电件电性连接；
所述高频辐射臂的臂面面积小于所述低频辐射臂的臂面面积，所述高频辐射臂上背向所述十字镂空区的中心的侧边与所述十字镂空区的中心的距离小于所述低频辐射臂上背向所述十字镂空区的中心的侧边与所述十字镂空区的中心的距离；所述辐射单元还包括用于支撑辐射臂、并为所述辐射臂馈电的巴伦。


2.根据权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，还包括基板，所述辐射臂为铺设于所述基板上的金属层。


3.根据权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，所述高频辐射臂设有第一镂空区，所述低频辐射臂设有第二镂空区；所述第一镂空区与所述十字镂空区连通，所述第二镂空区与所述十字镂空区连通。


4.根据权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，对于同一极化并相邻布置的所述高频辐射臂与所述低频辐射臂，所述高频辐射臂面向所述低频辐射臂的边缘的一部分与所述低频辐射臂面向所述高频辐射臂的边缘的一部分之间电性连接，所述高频辐射臂面向所述低频辐射臂的边缘的另一部分与所述低频辐射臂面向所述高频辐射臂的边缘的另一部分之间间隔设置形成第一极化隔离镂...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕鹏飞，刘培涛，陈礼涛，李明超，王宇，赖展军，
申请(专利权)人：京信通信技术广州有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44