【技术实现步骤摘要】
一种用于六氟化钨金属元素分析的取样系统
本技术涉及一种用于六氟化钨金属元素分析的取样系统及其使用方法,可应用于六氟化钨金属元素分析的样品制取。
技术介绍
电子气体作为超大规模集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、太阳能电池、光纤等电子工业生产中不可缺少的基础和支撑性材料之一,被广泛应用于薄膜、刻蚀、掺杂、气相沉积、扩散等工艺。随着行业的快速发展,电子工业界对电子气体纯度的要求越来越高。六氟化钨在电子工业中主要用于金属钨化学气相沉积工艺,用它制成的WSi2还可用作大规模集成电路的配线材料,同时还可用作半导体、氟化剂、聚合催化剂及光学材料的原材料。六氟化钨中的金属杂质在钨沉积过程中会伴随钨同时沉积,导致元器件性能变差甚至不合格,因此必须检测六氟化钨中金属杂质含量并严格控制。由于六氟化钨具有腐蚀性,遇水迅速反应生成三氧化钨和氟化氢,取样系统需要干燥密闭;同时金属杂质密度大,为保证分析准确性,通常钢瓶倒置取液体六氟化钨进行分析,六氟化钨的特殊性质决定了分析技术的特殊性。半导体行业标准SEMIC70-1116公布了 ...
【技术保护点】
1.一种用于六氟化钨金属元素分析的取样系统,包括六氟化钨容器、高纯气源、取样装置、真空装置、阀门和管路,其特征是该取样系统在取样装置和真空装置之间设置有收集装置。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于六氟化钨金属元素分析的取样系统,包括六氟化钨容器、高纯气源、取样装置、真空装置、阀门和管路,其特征是该取样系统在取样装置和真空装置之间设置有收集装置。
2.根据权利要求1所述的取样系统,其特征是六氟化钨容器(1)通过管路依次与高纯气源(5)、取样装置(2)、收集装置(3)、真空装置(4)连通;六氟化钨容器(1)取样口安装有I号阀门(12);高纯气源(5)出口管路上安装有VII号阀门(18)和I号压力表(9);取样装置(2)上安装有II号阀门(13);收集装置(3)安装有温度计(10)、II号压力表(11),收集装置(3)下部安装有IV号阀门(15)、顶部安装有V号阀门(16);真空装置(4)安装有VI号阀门(17);去向收集装置(3)的管路上设置有III号阀门(14)。
3.根据权利要求1所述的取样系统,其特征是取样装置设置于电子天平上,电子天平精度分度值不大于0.1g。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴旭飞,张金彪,汤月贞,黄晓磊,牛学坤,李金勇,袁胜芳,
申请(专利权)人:黎明化工研究设计院有限责任公司,
类型:新型
国别省市:河南;41
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